电子封装技术工艺综合试验试验讲义试验一半导体光刻试验.PDF

《电子封装技术工艺综合实验》实验讲义 实验一 半导体光刻实验 一、实验目的 1、掌握基本的半导体光刻实验步骤； 2 、利用光刻和刻蚀将掩模板上的图形转移到衬底，完成图形转 移； 3、掌握相关光刻实验的设备的使用。 二、实验原理 2.1 光刻原理及其作用 光刻就是将掩膜上的几何图形转移到覆盖在半导体晶片表面的 对光照敏感的薄膜材料（光致刻蚀剂）上去的工艺过程。这些图形确 定集成电路中的各个区域，如注入区、接触窗口区、压焊区等。由光 刻工艺确定的抗蚀剂图形并不是最后器件的构成部件，仅是电路图形 的印模，为了制备出实际的电路图形，还必须再一次把抗蚀剂图形转 移至抗蚀剂下面组成器件的材料层上，也就是使用能够对非掩膜部分 进行选择性去除的蚀刻工艺来实现图形转移。因此光刻工艺是蚀刻工 艺的前道工序，光刻对象是光照敏感的光致抗蚀剂，而蚀刻对象是能 与蚀刻剂发生反应的器件材料层，如下图的光刻流程图所示。光刻原 理与照相相似，不同的是半导体晶圆代替了照相底片，光刻胶代替了 感光涂层。光刻胶主要成分是高分子有机物，在光照下有机物分子结 构发生变化，进而使光刻胶性质发生变化，在与显影液接触时发生不 同的反应，部分被溶解，部分被保留下来，由此完成图形由掩膜板向 光刻胶的转移。 图 1 光刻工艺步骤 2.2 光刻胶的介绍 光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解 度会发生变化。晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面， 而后被干燥成胶膜。主要有正负两种性质的光刻胶。 负性光刻胶：负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。 正性光刻胶：正性光刻胶曝光后软化变得可溶。 2.3 光刻主要流程介绍 1、表面处理 晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表 面，所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温 度通常在 140 度到 200 度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使 用 HMDS （六甲基二硅胺脘）。表面处理的主要作用是提高光刻胶与 衬底之间的粘附力，使之在显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗透。 2、匀胶 匀胶时避免灰尘、小颗粒进入胶层，否则会造成有杂质的区域因 没有胶膜保护而被腐蚀掉；如果正好发生在条形台面上，会直接影响 这部分管芯的特性参数。在湿度大的季节，为保证光刻胶与基片附着 牢固，有时将片子放入表面处理剂中浸泡以增加粘附性能。 3、前烘 目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面的胶固化。这个 过程中胶中的溶剂基本被蒸发掉，因而通常情况下胶的厚度会变薄 （大约减少25%）。光刻胶固化，温度要适当，大约 90～100 度，时 间 20 分钟左右。 4、曝光 曝光灯的光强会随着工作时间的延长而逐渐下降，应定期监控光 强密度。光强太弱，使曝光时间不充分，在显影的时候容易留有底膜、 线条边缘不齐整。光强太强，显影速度太快，不容易控制图形。因此 要通过多次实验（曝光和显影），确定合适的曝光时间。 曝光能量=光强密度 X 曝光时间。 5、显影 用化学显影液将曝光造成的光刻胶的可溶解区域溶解就是光刻 胶的显影， 其主要目的就是把掩膜版的图形准确复制到光刻胶中。 常见的显影液有 NaOH (Shipley 351), KOH (Shipley 606) ,TMAH (Shipley CD-26, MF-321, OCG 945)等。需要注意的是：所有的这些 显影液都会刻蚀铝显影时间要适当，时间长了，会造成过显影，线条 宽度变窄、边缘坡度大、不整齐，腐蚀时容易钻蚀；显影时间短，容 易显不干净，留有底膜。显影后一定要把残留显影液、光刻胶、底膜 等漂洗干净，否则腐蚀时会出现腐蚀深度不均匀。采用等离子去胶机 处理底膜，保证显影后没有被光刻胶覆盖的区域表面干净。 6、检查 显影后在显微镜下检查显影质量，除了检查上述内容外，对于二 次光刻氧化层还要看套刻是否准确，否则漂掉光刻胶，重新涂胶光刻。 7、后烘 温度过高，会使胶变形、边缘不陡直，造成腐蚀后线条宽度变窄、 边缘不平直。 8、腐蚀 腐蚀台面深度：器件类型不同，腐蚀深度要求不同。 腐蚀氧化层：显微镜观察呈灰白色，