MLC的C层压切割工艺知识培训.ppt

根据7.3的信息，用鼠标点击程序逻辑界面的“打开”图标，选择相应的文件。 7.5、打开相应文件号。 7.6、设定排挤参数与移位参数。 7.6.1、根据作业指导书《RK-C60P机切割工艺参数》输入初始的排挤参考参数，试切过程不用选用此项操作，试切后若有较多切偏才进行排挤补偿切割，参数的调整后进行切割。 7.6.2 、根据工单错位数设定移位参数。 7.7、第一刀原点设定 用鼠标点击设置图标“SET”，进入第一刀原点设定模式，同时按照界面的操作指示区显示步骤说明进行操作即可。 按操作面板的启动键可进行切割，此时可根据产品切割线的外观设置影像处理参数与刀痕、刀深的参数，如未切断重做第一刀原点设定。 7.8、首巴切割作业 7.9、进行切割 7.9.1、首巴切完后送IPQC检验，检合格后可继续切割；若首巴不合格，调整机器重新试切，合格可继续切割，不合格则停止切割，并反馈技术部。 7.9.2、 在切割时，可根据产品切割线的实际情况选择影像处理参数到最佳效果。 7.9.3、若在切割过程中发现产品留边量不合格，可根据产品的实际情况调整刀痕，调整无效则设定排挤参数进行切割。 7.9.4、在Y轴切割过程中，如果发现有刀痕偏离切割线的现象，则在此位置用标识笔做出标记，便于检验人员检验长轴切偏。 7.10、切割检验： 根据产品规格检验切割后尺寸的大小以及一致性，频次及方法如下： 7.10.1、抽检： 按每10±1巴抽检一次尺寸，每巴抽检5粒，每排两端及中间各1粒，若有1粒不合格，则立刻通知切割手调整，并且返回抽检5巴的尺寸，如5巴中抽检到1巴有问题，则全检巴10的尺寸； 未经班组巡检和抽检的巴块，对标注有跳刀的位置检验尺寸（每排抽检两端及中间各1粒），若不合格，则挑出作废；如果检验过程中发现未标注跳刀的位置尺寸有异常，则立刻进行检验，若有尺寸问题，则返检3巴的尺寸，重点检验对刀位置的尺寸，若有1粒不合格，则对相邻一次抽检尺寸后的所有巴块进行检尺寸。 产品由切割班组在对首巴检验合格后的第10、20、30巴等依次类推的巴块进行巡检并做标志。 7.10.2、 巡检 （1） 检查切割后留边量（切偏或移位）： 0603规格：留边量≥0.08mm为合格品； 留边量 0.08mm为不合格品；0805规格：留边量≥0.10mm为合格品；留边量 0.10mm为不合格品，0402规格：留边量≥0.07mm为合格品，留边量 0.07mm为不合格品。 （2） 检查切割后产品的外观 1．芯片外观检验：逐行、逐列在30/40倍显微镜下对其芯片外观进行检验，检查有无分层、开裂、切错、切偏、切粗、切斜、刮伤、未切断、粘片及保护盖脱落等不良现象。 判别标准：对于有切偏质量问题时，若切偏比例大于6%，则要求切割手进行调整并重新切一巴块送检，若连续三次检验不合格则停止切割并填写反馈B卡；对于有分层、开裂及保护盖脱落的要求切割手停止切割并填写反馈B卡交技术部处理；对于有切斜、切错、刮伤、切粗及未切断等现象的通知切割手调整并再次切1巴送检合格后方能正常切割。 2．芯片尺寸检验：从巴块的四角和中间部分各取1粒，用数显游标卡尺测量芯片的长、宽、厚（注意测量时用卡尺夹产品的力度要轻，保持在能将电容芯片夹住不掉下为准），并对切割手标记有尺寸问题的位置的长、宽进行检验，将尺寸超标的位置标出； 判别标准：产品尺寸标准见《切割工序检验规程》附表1，不允许有1粒长宽不合格，否则立刻通知切割手进行调整并重新切1巴送检； 3．内电极质量检验：从巴块的四角和中间部分各取1粒，沿其长轴方向用刀片将其剖开，在30/40倍显微镜下检查：电极图形是否与工单设计及对应的丝网的图形一致、电极层数是否与产品设计层数一致、有无移位、切错、长轴切偏、错位是否正确、电极是否连续、介质层厚度是否一致等； 判别标准：严重移位、切错、介质分层、长轴严重切偏、层数不一致、错位有误、电极严重不连续、介质层厚度不一致等质量问题不允许1粒出现；对轻微移位、电极轻微不连续等不合格比例不应大于1/5，否则重检，若3次检验仍不合格停止切割并反馈； 7.10.3、 全检 由工序互检员对每个巴块进行检验，检验内容包括芯片外观检验、芯片尺寸检验、内电极质量检验。 1）：芯片外观检验： 逐行、逐列在30/40倍显微镜下对其芯片外观进行检验，检查有无分层、开裂、切错、切偏、切粗、切斜、刮伤、未切断、粘片及保护盖脱落等不良现象，并用笔画出不良区域，标注不良原因； 2）芯片尺寸检验： 从巴块的四角和中间部分各取1粒，用数显游标卡尺测量芯片的长、宽、厚（注意测量时用卡尺夹产品的力度要轻，保持在能将电容芯片夹住不掉下为准），并对切割手标记有尺寸问题的位置的长、宽进行检验，将尺寸超标的位置标出并标注不良原因； 3）内电极质量检验： 内电极质量检验：从巴块的四角和