[工学]康华光五版模电第三章.pptVIP

§2.3.3 二极管的参数 4. 二极管的极间电容（parasitic capacitance） 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容(barrier（depletion）capacitance)CB和扩散电容(diffusion capacitance)CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 §2.3.3 二极管的参数 4. 二极管的极间电容 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在高频和反向偏置时明显。 CD在正向偏置时明显。 §3.3.3 二极管的参数 5. 微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 §3.4.2二极管电路的简化模型分析方法 1.理想模型（ideal diode) vD iD 当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此模型作近似分析。 iD vD * 3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 3 半导体二极管及基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体的导电作用 3.1.4 杂质半导体 导体(conductor)：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体(semiconductor)：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体(insulator)：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 §3.1.1 半导体材料 §3.1.1 半导体材料 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 § 3.1.2 半导体的共价键结构 Ge Si 动画演示 § 3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的共价键(covalent bond)结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 动画演示 § 3.1.3 本征半导体的导电作用 1.本征半导体(intrinsic or pure insulator) 硅和锗的晶体结构： 完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 § 3.1.3 本征半导体的导电作用 2.载流子、自由电子和空穴(carrier、free electrons and holes) +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 动画演示 § 3.1.3 本征半导体的导电作用 3.载流子的产生与复合 +4 +4 +4 +4 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 动画演示 § 3.1.4 杂质半导体 1. P 型半导体 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 动画演示 § 3.1.4 杂质半导体 2. N 型半导体 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的载流子是什么？ 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 动画演示 3.2 PN结的形成及特性 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.5 PN结的电容效应 § 3.2.2 PN 结的形成 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 扩散(diffusion)的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。 内电场越强，就使漂移(drift)运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。 空间电荷区， 也称耗尽层。 § 3.2.2 PN 结的形成 漂移运动 P型半导体