[工学]第0章 绪论.ppt

现代集成电路制造工艺原理 --------李惠军 山东大学出版社 参考书目 半导体制造技术 韩郑生 译 电子工业出版社 微电子材料与制程 陈力俊 复旦大学出版社 芯片制造－半导体工艺制程实用教程 电子工业出版社 《微电子学概论》 北京大学出版社 /bbs/index.php半导体技术天地 / 集成电路教育网 课程成绩 10%：平时成绩（作业、出勤、课上表现） 20%：期中考试 70%：期末考试 考试内容：ppt +课本 主要内容 第一章 硅材料及衬底制备 第二章 外延生长工艺原理 第三章 氧化介质薄膜生长 第四章 半导体的高温掺杂 第五章 离子注入低温掺杂 主要内容 第六章薄膜气相淀积工艺 补充：物理气相淀积 第七章 图形光刻工艺原理 第八章 掩膜制备工艺原理（自学） 补充：金属化和平坦化 第九章 超大规模集成工艺 第十章 芯片产业质量管理（自学） 绪论 微电子器件工艺的发展历史 三个阶段: 1.生长法 2.合金法 3.扩散法 微电子学：Microelectronics 微电子学——微型电子学 核心——集成电路 微电子的特点 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试与加工、图论、化学等多个学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列新的交叉学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等 集成电路： Integrated Circuit，缩写IC 封装好的集成电路 集成电路芯片的显微照片 晶体管的发明 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley（肖克利），J. Bardeen（巴丁）、W. H. Brattain（布拉顿） Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管 集成电路的发明 1952年5月，英国科学家G. W. A. Dummer第一次提出了集成电路的设想 1958年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比(Clair Kilby)为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布了该结果 集成电路的发展 从此IC经历了： SSI MSI LSI 现已进入到： VLSI ULSI GSI 小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) 中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） VLSI使用最频繁，其含义往往包括了ULSI和GSI。中文中把VLSI译为超大规模集成，更是包含了ULSI和GSI的意义。 集成电路发展的特点 特征尺寸越来越小 IC在各个发展阶段的主要特征数据 Intel’s CPU Year of introduction Transistors 4004 1971 2,250 8008 1972 2,500 8080 1974 5,000 8086 1978 29,000 286 1982 120,000 386? processor 1985 275,000 486? DX processor 1989 1,180,000 Pentium? processor 1993 3,100,000 Pentium II processor 1997 7,500,000 Pentium III processor 1999 24,000,000 Pentium 4 processor 2000 42,000,000 Intel 公司第一代CPU—4004 Intel 公司CPU—386TM Intel