[工学]第七章热敏半导体陶瓷.pptVIP

第七章热敏半导体陶瓷 敏感陶瓷是某些传感器中的关键材料，用于制作敏感元件，敏感陶瓷多属于半导体陶瓷，是继单晶半导体材料之后，又一类新型多晶半导体电子陶瓷。 敏感陶瓷是根据某些陶瓷的电阻率、电动势等物理量对热、湿、光、电压及某些气体，某种离子的变化特别敏感这一特性，按其相应的特性，可把这些材料分别称为热敏、湿敏、光敏、压敏、气敏及离子敏感陶瓷。 第七章热敏半导体陶瓷 热敏陶瓷是半导体陶瓷材料中的一类，其电阻率约为10-4~107?.cm。 陶瓷材料可以通过掺杂或者使化学计量比偏离而造成晶格缺陷等方法获得半导性。 半导体陶瓷的共同特点是：它们的导电性随环境而变化，利用这一特性，可制成各种不同类型的陶瓷敏感器件，如热敏、气敏、湿敏、压敏、光敏器件等。 第七章热敏半导体陶瓷 热敏半导体陶瓷材料就是利用它的电阻、磁性、介电性等性质随温度而变化，用它作成的器件可作为温度的测定、线路温度补偿及稳频等，且具有灵敏度高、稳定性好、制造工艺简单及价格便宜等特点。 按照热敏陶瓷的电阻-温度特性，一般可分为三大类： 1电阻随温度升高而增大的热敏电阻称为正温度系数热敏电阻，简称PTC热敏电阻； 2电阻随温度的升高而减少的热敏电阻称为负温度系数热敏电阻，简称NTC热敏电阻； 3电阻在某特定温度范围内急剧变化的热敏电阻，简称为CTR临界温度热敏电阻。 第七章热敏半导体陶瓷 一、PTC热敏陶瓷 1、PTC热敏电阻的基本特性 （1）电阻—温度特性 其电阻—温度曲线（R-T曲线）见图8-1。 居里温度Tc可通过掺杂来调整。 （2）电阻温度系数α 是指零功率电阻值的温度系数，其定义为： αT=1/RT*dRT/dT 对于PTC，αT=2.303/(T2-T1)*lgR2/R1 第七章热敏半导体陶瓷 （3）室温电阻率 是指25℃时的零功率电阻率ρa。 （4）电压-电流特性：见图8-2 （5）耐压特性 是指PTC热敏电阻陶瓷所承受的最高电压Vmax。 （6）电流-时间特性 （7）放热特性 第七章热敏半导体陶瓷 二、PTC热敏陶瓷材料 PTC热敏电阻器有两大系列：一类是采用BaTiO3为基材料制作的PTC；另一类是以氧化钒为基的材料。 1、 BaTiO3系PTC热敏电阻陶瓷 （1） BaTiO3陶瓷产生PTC效应的条件 当BaTiO3陶瓷材料中的晶粒充分半导化，而晶界具有适当绝缘性时，才具有PTC效应。 PTC效应完全是由其晶粒和晶界的电性能决定，没有晶界的单晶不具有PTC效应。 第七章热敏半导体陶瓷 （2）陶瓷的半导化 由于在常温下是绝缘体，要使它们变成半导体，需要一个半导化。所谓半导化，是指在禁带中形成附加能级：施主能级或受主能级。在室温下，就可以受到热激发产生导电载流子，从而形成半导体。 形成附加能级的方法：通过化学计量比偏离和掺杂。 A、化学计量比偏离 在氧化物半导体陶瓷的制备过程中，通过控制烧结温度、烧结气氛以及冷却气氛等，产生化学计量的偏离。 BaTiO3陶瓷的半导化 BaTiO3的禁带宽度为 3eV BaTiO3陶瓷在室温下的体积电阻率约为 1012 ?-cm （1） BaTiO3 陶瓷半导化的途径和机制 半导化途径： 强制还原法 施主掺杂法 AST掺杂法 （SiO2 及SiO2＋Al2O3＋TiO2） 强制还原法－－在真空、惰性气氛或还原气氛中加热处理BaTiO3，可得电阻率为100 ～ 103 ?-cm的 n 型BaTiO3半导体 机制：形成氧空位，产生Ti4+.e Ba2+Ti4+O32- ? Ba2+[Ti4+1-2x(Ti4+.e)2xO3 + V??o + 1/2x O2 特点：采用工业原料可实现半导化，但强制还原的BaTiO3陶瓷不呈现PTC效应 第七章热敏半导体陶瓷 B、掺杂 在氧化物中，掺入少量高价或低价杂质离子，引起氧化物晶体的能带畸变，分别形成施主能级和受主能级。从而形成n型或p型半导体陶瓷。 （3） BaTiO3陶瓷的半导化 一般采用掺杂施主金属离子。在高纯BaTiO3陶瓷中，用La3+、Ce4+、Sm3+、Dy3+、Y3+、Sb3+、Bi3+等置换Ba2+。或用Nb5+、Ta5+、W6+等置换Ti4+。 掺杂量一般在0.2%~0.3%之间，稍高或稍低均可能导致重新绝缘化。 施主掺杂法（价控半导化）－－高价元素取代 如：三价离子(La3+, Nd3+. Sm3+, Y3+, Bi3+, Sb3+ 等）取代Ba2+ Ba2+Ti4+O32- + xL