第2章 单片的机内部结构和工作原理.ppt

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第2章 单片的机内部结构和工作原理

2.3 I/O端口结构及工作原理 89C51单片机有4个8位的并行I/O接口P0、P1、P2和P3。各接口均由接口锁存器、输入缓冲器和输出驱动器等构成。各接口除了可以作为字节输入/输出外,它们的每一条接口线也可以单独地用作位输入/输出线。各接口编址于特殊功能寄存器中,既有字节地址又有位地址。对接口锁存器进行读写,就可以实现接口的输入/输出操作。虽然各接口的功能不同,且结构也存在一些差异,但每个接口的位结构是相同的。 P0、P1、P2、P3 A 由上图可见,P0引脚由锁存器、输入缓冲器、切换开关、一个与非门、一个与门及场效应管驱动电路构成。再看图的右边,标号为P0.X引脚的图示,也就是说P0.X引脚可以是P0.0到P0.7的任何一位,即在P0口有8个与上图相同的电路组成。 1.P0作为I/O口使用时的工作原理 P0口作为I/O引脚使用时,多路开关的控制信号为0(低电平),多路开关的控制信号同时与与门的一个输入端是相接的,我们知道与门的逻辑特点是“全1出1,有0出0”那么控制信号是0的话,这时与门输出的也是一个0(低电平),与门的输出是0,V1管就截止,在多路控制开关的控制信号是0(低电平)时,多路开关是与锁存器的Q非端相接的(即P0口作为I/O口线使用)。 P0口用作I/O口线,其由数据总线向引脚输出(即输出状态Output)的工作过程为:当写锁存器信号CP有效,数据总线的信号→锁存器的输入端D→锁存器的反向输出端→多路开关→V2管的栅极→V2的漏极到输出端P0.X。前面我们已经讲了,当多路开关的控制信号为低电平0时,与门输出为低电平,V1管是截止的,所以作为输出口时,P0是漏极开路输出,类似于OC门,当驱动上接电流负载时,需要外接上拉电阻。 (1) 读引脚 读芯片引脚上的数据,读引脚数时,读引脚缓冲器打开(即三态缓冲器的控制端要有效),通过内部数据总线输入,如图2-7箭头所示。 (2)读锁存器 通过打开读锁存器三态缓冲器读取锁存器输出端Q的状态,如图2-8箭头所示。 在输入状态下,从锁存器和从引脚上读来的信号一般是一致的,但也有例外。例如,当从内部总线输出低电平后,锁存器Q=0,Q非=1,场效应管T2开通,引脚呈低电平状态。此时无论端口在线外接的信号是低电乎还是高电平,从引脚读入单片机的信号都是低电平,因而不能正确地读入端口引脚上的信号。又如,当从内部总线输出高电平后,锁存器Q=1,Q非=0,场效应管T2截止。如外接引脚信号为低电平,从引脚上读入的信号就与从锁存器读入的信号不同。为此,89C51单片机在对引脚P0~P3的输入操作上,有如下约定:凡属于读-修改-写方式的指令,从锁存器读入信号,其它指令则从端口引脚在线读入信号。 读-修改-写指令的特点是:从端口输入(读)信号,在单片机内加以运算(修改)后,再输出(写)到该引脚上。这样安排的原因在于读-修改-写指令需要得到端口原输出的状态,修改后再输出,读锁存器而不是读引脚,可以避免因外部电路的原因而使原引脚的状态被读错。 2. 作为地址/数据复用口使用时的工作原理 在访问外部内存时P0口作为地址/数据复用口使用。这时多路开关“控制”信号为“1”,“与门”解锁,“与门”输出信号电平由“地址/数据”线信号决定;多路开关与反相器的输出端相连,地址信号经“地址/数据”线→反相器→V2场效应管栅极→V2漏极输出。 例如:控制信号为1,地址信号为“0”时,与门输出低电平,V1管截止;反相器输出高电平,V2管导通,输出引脚的地址信号为低电平。如图2-9所示。 反之,控制信号为“1”、地址信号为“1”,“与门”输出为高电平,V1管导通;反相器输出低电平,V2管截止,输出引脚的地址信号为高电平。如图2-10所示。 可见,在输出“地址/数据”信息时,V1、V2管是交替导通的,负载能力很强,可以直接与外设内存相连,无须增加总线驱动器。 P0口又作为数据总线使用。在访问外部程序内存时,P0口输出低8位地址信息后,将变为数据总线,以便读指令码(输入)。 在取指令期间,“控制”信号为“0”,V1管截止,多路开关也跟着转向锁存器反相输出端Q非;CPU自动将0FFH即向D锁存器写入一个高电平‘1’)写入P0口锁存器,使V2管截止,在读引脚信号控制下,通过读引脚三态缓冲器电路将指令码读到内部总线。如图2-11所示。 如果该指令是输出数据,如MOVX @DPTR,A(将累加器的内容通过P0口数据总线传送到外部RAM中),则多路开关“控制”信号为‘1’,“与门”解锁,与输出地址信号的工作流程类似,数据据由“地址/数据”线→反相器

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