[理学]第5章 半导体器件88.pptVIP

第五章 半导体器件 5.1 半导体的基本知识 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 本节主要介绍几种半导体的晶体结构，及其PN 结形成过程及导电特性； 5.1.1 半导体的导电性能 5.1.2 PN结及其单向导电特性 在近代电子学中，用得最多的半导体是硅Si和锗Ge。其外层都只有4个电子，属4价元素。为便于讨论，采用图1所示的简化原子模型。 1.本征半导体 纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 Si原子生成晶体时，其原子排列就由杂乱无章的状态变成了非常整齐的状态，原子间的距离都是相等的。研究一块纯净的Si晶体时，可发现每个原子有4个相邻的原子围绕着，每两个相邻原子间共用一对电子(称为价电子)，组成共价键结构。 共价键如图2所示，本征半导体晶体结构如图3示。 两种载流子： 在绝对零度时，价电子受原子核束缚较强，因此，硅或锗相当于绝缘体，但随着温度的升高，少数价电子就获得能量，挣脱束缚成为自由电子，自由电子带负电，可以导电，称为电子载流子。 价电子成为自由电子的同时，在原子外层留下一个空位，称为空穴，空穴带正电，也可以导电，称为空穴载流子。 当半导体处于外加电压作用下时，通过它的电流可看作由两部分组成：一部分是自由电子进行定向运动形成的电子电流；另一部分是束缚电子在共价键上填补空穴形成的空穴电流。 本征半导体的导电性能 常温下本征半导体中电子-空穴对数目较少，其导电能力较差。 半导体特性:光敏特性、热敏特性、掺杂特性 随着温度的升高或光照的增强，本征半导体中会激发出更多的电子-空穴对，增强导电能力！ 2.杂质半导体 掺杂的半导体称为杂质半导体。 掺杂方法：将少量杂质元素加入到加热了的Si晶体中。 根据掺入杂质的不同，将杂质半导体分为两类： N 型半导体 P 型半导体 N型半导体 如果在Si晶体中掺入少量的五价杂质元素，如磷(P)元素，由于磷原子最外层有5个价电子，因此，在与半导体Si形成共价键的同时，多出一个电子，该电子很容易挣脱原子核束缚成为自由电子；因此，N型半导体又称为电子型半导体； N型半导体 在N型半导体中，载流子分两部分：掺杂产生的自由电子及热激发产生的电子-空穴对； 自由电子是多数载流子，简称“多子”， 空穴是少数载流子，简称“少子”。 每个P原子在释放一个自由电子后便成为不能移动的正离子，由此产生了正离子—电子对,整个N型半导体呈中性。 P型半导体 如果在Si晶体中掺入少量的三价杂质元素，如硼(B)元素，由于磷原子最外层有3个价电子，因此，在与半导体Si形成共价键的同时，多出一个空穴；因此，P型半导体又称为空穴型半导体； 1.PN结的形成 物质从浓度大的地方向浓度小的地方运动叫扩散。 当P型半导体和N型半导体结合在一起时，因为空穴在P区中是多子，在N区中是少子；同样，电子在N区中是多子，在P区中是少子，所以在P、N两区交界处，由于载流子浓度的差异，要发生电子和空穴的扩散运动，多子都要向对方区域移动。 扩散的结果是：电子和空穴相遇时会复合消失。 假设扩散运动的方向由正指向负(P区指向N区)，则空穴将顺扩散运动方向移动，电子将逆扩散运动方向移动。 扩散使得在两区交界处的P区一侧，出现一层带负电荷的粒子区(即不能移动的负离子)；在N区一侧，出现一层带正电荷的粒子区(即不能移动的正离子)，形成了一个很薄的空间电荷区。 空间电荷区两边带有不同极性的电荷，形成内电场。 内电场的两个作用: 阻止多子的扩散； 有利于少子的漂移。 当扩散与漂移运动作用相等时，达到动态平衡。形成的具有一定宽度的空间电荷区，就称为PN结；由于PN结内载流子数目很少，又称为耗尽层。 2.PN结的单向导电特性 （1）PN结正向偏置 给PN结加正向电压U（P结正极），使得外电场与内电场方向相反，从而消弱了内电场，空间电荷区变窄，因此，增强了多子的扩散运动，消弱了少子的漂移运动。 2.PN结的单向导电特性 （1）PN结正向偏置 当0≤U＜UT 时，UT为死区电压，或门坎电压。由于外电场还不足以克服内电场对载流子扩散所造成的阻力，所以正向电流I≈0，PN 结呈现出一个大电阻。 2.PN结的单向导电特性 （1）PN结正向偏置 当U≥UT 后，在外电场的作用下，多子不断地向对方区域扩散，内电场被大大削弱，使空间电荷量减少，PN结变窄。空间电荷区中载流子数量的增加，相当于PN结电阻的减小。载流子能顺利地越过PN结，形成闭合的回路，产生较大的正向电流 I。因为外电源不断地向半导体提供空穴和电子，所以使电流 I 得以维持。 因此，PN结正向偏置时，具有较大的正向电流，PN结呈现的电阻很小，处于导通状态。 2.PN结的单向导电特性 （1）PN结反向偏置 给PN结加反向电压（N结正极），使得