[理学]第5章 晶体三极管及其基本放大电路.ppt

2009-2-9 电路与模拟电子技术基础 第5章 晶体三级管及其放大电路 BJT：Bipolar Junction Transistor ——双极型晶体管 ——（晶体三极管、半导体三极管） ﹡双极型器件 两种载流子（多子、少子） 5.1.1 晶体管的结构及其类型 5.1.2 晶体管的电流分配与放大作用 （以NPN管为例） 一、放大状态下晶体管中载流子的运动 外加偏置电压要求 IE的形成 ∵UBB使发射结正偏 ∴发射区电子向基区运动， 形成电流IEN，方向b→e 基区空穴向发射区运动， 形成电流IEP，方向b→e ∴IE=IEN+IEP，方向流出e ∵发射区重掺杂电子较多，基区轻掺杂空穴较少，IEN＞＞IEP ∴IE≈IEN IB的形成 ∵发射区运动基区的 电子与空穴复合， 形成电流IBN，方向b→e ∵UCC＞UBB， 集电结反偏 ∴基区与集电区形成反向饱和电流ICBO，方向c→b ∴IB=IBN-ICBO≈IBN，方向流出b IC的形成 ∵集电结反偏 ∴发射区运动到基区 的电子继续向集电区 运动，形成电流ICN， 方向c→b； 集电区与基区形成反向饱和电流ICBO，方向c→b，很小 ∴IC=ICN+ICBO≈ICN，方向流进c 载流子传输步骤 二、电流分配关系 晶体管是流控元件 晶体管的主要功能： 电流控制 （基极电流控制集电极电流） 电流放大 （放大的比例关系一定） 共基极直流电流放大系数 若忽略ICBO，则 5.1.3 晶体管的共射特性曲线 晶体管特性曲线：描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。 下面以共射极电路为测试电路 5.1.3.1 共射极输入特性曲线 共射组态晶体 管的输入特性： 5.1.3.2 共射极输出特性曲线 共射组态晶体管的输出特性： 它是指一定基极电流IB下，三极管的输出回路集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。 一、放大区 ★发射结正向偏置， 集电结反向偏置 1、基极电流 iB 对集电极电流 iC 的控制作用很强 放大区 2、uCE 变化时, iC 影响很小（恒流特性） 二、饱和区 ★发射结和集电结均正向偏置 饱和区 饱和区 饱和压降UCE(sat)： 饱和时，集电极和发射极之间的电压 UCE(sat) = 0.3V （小功率Si管） ； UCE(sat) = 0.1V （小功率Ge管） 。 三、截止区 ★发射结和集电结均反向偏置 四、击穿区 当uCE足够大时，晶体管会发生反向击穿，iC迅速增大。iB越小，出现反向击穿的电压越大，当iB=0时，反向击穿电压最大，此时的击穿电压记作U(BR)CEO。 5.1.3.2 共射极输入特性曲线 共射组态晶体 管的输入特性： （1）uCE = 0 时，晶体管相当于两个并联二极管，iB 很大，曲线明显左移。 5.1.4 晶体管的主要参数 一、电流放大系数 1、共射直流放大倍数 2、共射交流放大倍数 二、极间反向电流 ICBO 集电极发射极间的穿透电流 三、极限参数 1、反向击穿电压 U(BR)CBO：发射极开路时，集电极—基极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO：基极开路时，集电极—发射极间的反向击穿电压。 U(BR)EBO：集电极开路时，发射极—基极间的反向击穿电压 例如：3DG6(NPN)， U(BR)CBO =115V， U(BR)CEO =60V，U(BR)EBO=8V。 2、集电极最大允许电流ICM ICM：β下降到正常值的2/3时的iC。 当iC ICM时，虽然管子不致于损坏，但β值已经明显减小。 3、集电极最大允许耗散功率PCM 5.2 放大电路的组成和放大原 5.2.1 放大电路概述 5.2.2. 基本共射极放大电路 静止状态（静态）：ui=0时电路中各处的电压、电流都是不变的直流。若UBB和UCC能使T的发射结正偏，集电结反偏→三极管工作在放大状态，则： 当 时 ib含有交流分量 ＊电压、电流等符号的规定 ①直流量： 大写字母+大写下标，如IB ②交流量： 小写字母+小写下标，如ib ③交流量有效值： 大写字母+小写下标，如Ib ④瞬时值（直流分量和交流分量之和）：小写字母+大写下标，如iB， iB= IB+ ib 重要：静态工作点的作用 静态工作点Q（Quiescent）： 静态时，晶体管的IB、IC、UBE和UCE 记作：IBQ、ICQ、UBEQ和UCEQ 静态时（ui=0）： UBB=0 →UBEQ=0 →发射结不能导通； UBB=0 →IB=0 →IC=βIB=0 →UC