[理学]第一章半导体二极管.ppt

半导体器件是组成各种电子电路——包括模拟电路和数字电路，分立元件电路和集成电路的基础。 本章讨论半导体的特性，PN结的单向导电性，二极管、三极管、场效应管的结构，工作原理，特性曲线和主要参数 物质可分为： 导体：?=10-4Ω.cm 如：铜，银，铝 绝缘体：?=109Ω.cm 如：橡胶，塑料 半导体：其导电能力介于上面两者之间，一般为四价元素的物质，即原子最外层的轨道上均有四个价电子,所以称它们为4 价元素。 半导体有：元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）等； 化合物半导体：砷化镓（GaAs）等 原子结构的简化模型 ●本征半导体 通常把非常纯净的、几乎不含杂质的且结构完整的半导体晶体称为本征半导体。 在T=0K（相当于—273oC）时半导体不导电，如同绝缘体一样。 如温度升高，达到室温条件下，将有少数价电子获得足够的能量，以克服共价键的束缚而成为自由电子，但其载流子的数量很少（自由电子的数量）导电能力很弱。 两种载流子－运载电荷的粒子： 电子与空穴载流子 空穴、电子对 电子空穴对的产生－本征激发 电子空穴对的复合 （一定温度下）动态平衡 载流子浓度是温度T的函数。 在本征半导体中掺入少量的杂质，就会使半导体的导电性能发生“质” 的改变。 根据掺入杂质的化合价的不同，杂质半导体分为: N型半导体和P型半导体两大类。 一．N型半导体： 在4价硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷，锑，砷等。 1.1.3 PN结 若在一块本征半导体上，两边掺入不同的杂质，使一边成为P型半导体，另一边成为N型半导体，则在两种半导体的交界面附近形成一层很薄的特殊导电层——PN结。PN结是构成各种半导体器件的基础。 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.5 稳压二极管 图1.2.13 光电二极管的外形和符号 （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 （c）代表符号 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 是指二极管两端电压和流过二极管电流之间的关系。 由PN结电流方程求出理想的伏安特性曲线 I U 1.当加正向电压时 PN结电流方程为： 2.当加反向电压时 I 随U↑，呈指数规率↑ I = - Is 基本不变 1.2.2 二极管的伏安特性 1.正向起始部分存在一个死区或门坎，称为门限电压。 硅：Ur=0.5-0.6v; 锗：Ur=0.1-0.3v 实测伏安特性 ① ② ③ 2.加反向电压时，反向电流很小 即Is硅(nA)Is锗(?A) 硅管比锗管稳定 3.当反压增大UB时再增加，反向激增，发生反向击穿， UB称为反向击穿电压。 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.2 二极管的伏安特性 伏安特性受温度的影响 室温附近： 升高1度，减小 2.0～2.5mV 室温附近： 每升高10度， Is 增加一倍。 可以用作 温度传感器 (1) 最大整流电流IF 长期工作时，二极管允许的最大平均电流。 (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 最高工作频率fM 通常是前者的一半。 也叫做反向漏电流 ，同 Is Ge：0.1～0.3V，Si： 0.6～0.7V 1.2.4 二极管的等效电路 一、由伏安特性折线化得到的等效电路 能够模拟二极管特性的电路——等效电路 理想 考虑压降 考虑 压降 和电阻 0.2V 0.6V 例题P22 ? 二极管的电阻 非线性电阻 直流电阻R (也称静态电阻） 交流电阻r （又称动态电阻或微变电阻） ? 直流电阻R 定义 二极管两端的直流电压UD与电流ID之比: 1.2.4 二极管的等效电路 二、二极管的微变等效电路 ? 交流电阻 rd 或 静态工作点处 1.2.4 二极管的等效电路 定义 实质是特性曲线静态工作点处的斜率 实际上是具有一定 平均正向电流时所 呈现的电阻。 也叫动态电阻 室温下： UT ≈ 26 mV 交流电阻：rd ≈ 26mV/ ID(mA) 晶体二极管的正向交流电阻可由PN结电流方程求出： 图1.2.9直流电压源和交流电压源 同时作用的二极管电路 1.2.4 二极管的等效电路 综上所述，二极管的伏安特性具有以下特点： ① 二极管具有单向导电性； ② 二极管的伏安特性具有非线性； ③ 二极管的伏安特性与温度有关。 二极管按材料分常用的有