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第4章 功率衰减器 4.1 功率衰减器的原理 4.2 集总参数衰减器 4.3 分布参数衰减器 4.4 PIN二极管电调衰减器 4.5 步进式衰减器 4.1 功率衰减器的原理 4.1.1 衰减器的技术指标 工作频带、 衰减量、 功率容量、 回波损耗等 (1) 工作频带。现代同轴结构的衰减器使用的工作频带相当宽。 (3) 功率容量。 衰减器是一种能量消耗元件,功率消耗后变成热量。为免烧坏，设计和使用时,必须明确功率容量。 (4) 回波损耗。 反映衰减器的驻波比。衰减器应与两端电路都是匹配的。 衰减量动态范围 在控制参量的变化范围内，衰减量的 变化范围，针对可变衰减器 衰减量频带特性 要求在宽的频率范围内，在控制参量一定时，衰减量变动很小 4.1.2 衰减器的基本构成 基本材料是电阻性材料。电阻衰减网络是衰减器的一种基本形式, 也是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频/微波电路结构中就形成了相应频率的衰减器。如果是大功率衰减器,体积要加大,关键是散热设计。 4.1.3 衰减器的主要用途 (1) 控制功率电平 (2) 去耦元件 4.2 集总参数衰减器 利用电阻构成的T型或П型网络实现集总参数衰减器,通常衰减量是固定的,由三个电阻值决定。电阻网络兼有阻抗匹配或变换作用，可分为同阻式和异阻式。 4.2.1 同阻式集总参数衰减器 同阻式衰减器两端的阻抗相同,即Z1＝Z2,不需要考虑阻抗变换,直接应用网络级联的办法求出衰减量与各电阻值的关系。 1. T型同阻式（Z1=Z2=Z0） 如图4-2（a）所示, 取Rs1=Rs2，利用三个［A］参数矩阵相乘的办法求出衰减器的［A］参数矩阵,再换算成［S］矩阵,就能求出它的衰减量。串联电阻和并联电阻的［A］网络参数如下: Rs1的转移矩阵 Rp的转移矩阵 相乘得 ? 转化为［S］矩阵为 对衰减器的要求是衰减量为20lg|s21|(dB),端口匹配10lg|s11|=-∞。 求解联立方程组就可解得各个阻值。 2. П型同阻式（Z1=Z2=Z0） 如图4-2（b）,取Rp1=Rp2, 利用三个［A］参数矩阵相乘的办法求出衰减器的［A］参数矩阵,再换算成［S］矩阵,就能求出它的衰减量。 4.2.2 异阻式集总参数衰减器 设计异阻式集总参数衰减器时,级联后要考虑阻抗变换。 1. T型异阻式 2. П型异阻式 4.2.3 集总参数衰减器设计实例 设计实例一： 设计一个5dBT型同阻式（Z1=Z2=50Ω）固定衰减器。 步骤一: 同阻式集总参数衰减器A=-5dB,由公式(4-6)计算元件参数: 步骤二: 利用ADS仿真衰减器特性。 设计实例二： 设计10dBП型同阻式（Z1=Z2=50Ω）固定衰减器。 步骤一：同阻式集总参数衰减器A=-10dB,由公式(4-7)计算元件参数: 步骤二: 利用ADS仿真衰减器特性。 设计实例三： 设计10dBП型异阻式（Z1=50 Ω,Z2=75Ω）固定衰减器。 步骤一: 异阻式集总参数衰减器A=-10 dB: ? 步骤二: 利用ADS仿真。 4.3 分布参数衰减器 4.3.1 同轴型衰减器 1. 吸收式衰减器 在同轴系统中,吸收式衰减器的结构有三种形式：内外导体间电阻性介质填充、内导体串联电阻和带状线衰减器转换为同轴形式。衰减量的大小与电阻材料的性质和体积有关。 2. 截止式衰减器 又称“过极限衰减器”,用截止波导制成，根据当工作波长远大于截止波长λc时,电磁波的幅度在波导中按指数规律衰减的特性来实现。 4.3.2 波导型衰减器 1. 吸收式衰减器 2. 极化吸收式衰减器  圆柱波导旋转的角度θ可以用精密传动系统测量并显示出来，角度的变化也就是极化面的变化。 极化衰减器的衰减量为 A=20 lg (cosθ) （4-10） 4.3.3 微带型衰减器  4.3.4 匹配负载 4.4 PIN二极管电调衰减器 4.4.1 PIN二极管 ? PIN二极管是在重掺杂P+、 N+之间夹一段较长的本征半导体所形成的半导体器件，中间I层长度为几到几十微米。 1. 直流特性 在零偏与反偏下，PIN管均不能导通，呈现大电阻； 正偏时，P+、N+分别从两端向I区注入载流子，它们到达中间区域复合。PIN