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晶体结构填空题1属于立方晶系的晶体可抽象出的点阵类型
第五章 晶体结构
一、填空题
1、属于立方晶系的晶体可抽象出的点阵类型有____________ 。
2 、属于正交晶系的晶体可抽象出的点阵类型有____________ 。
3、属于四方晶系的晶体可抽象出的点阵类型有_____________ 。
4 、点阵是指___________________________________________
5、晶体的衍射方向可用以测定晶体的______________数据。
6、将金属中的“自由电子”当作三维势箱中运动的电子, 试写出它
的 Schrodinger 方程。
7 、在 A 1 型堆积中,球数:正四面体空隙数:正八面体空隙数
=________ 。
8、等径圆球六方最密堆积结构划分出来的六方晶胞的原子分数坐标
为_____ 。
9 等径圆球六方最密堆积中密置层的堆积次序可表示为
_______________ 。
10、已知半径为 r 和 r 的两种圆球 (r ≠r ) , 其最大堆积密度均为
1 2 1 2
74.05%,所以这两种球混合堆积时最大堆积密度为_____________ 。
11、晶体按对称性分,共有______________个晶系。
12、NaCl 晶体的空间点阵型式为___________ 。
13、CsCl 晶体的空间点阵型式为___________ 。
14、CsCl 晶体中负离子的堆积型式为_______ ,正离子填入_______
空隙中。
15、 NaCl 晶体中负离子的堆积型式为_______ ,正离子填入_______
空隙中。
二、选择题
1、有一AB4型晶体,属立方晶系,每个晶胞中有 1 个A和 4 个B , 1
个A 的坐标是 (1/2 ,1/2,1/2), 4 个B 的坐标分别是(0,0,0) ;(1/2,
1/2,0) ;(1/2,0,1/2);(0,1/2,1/2), 此晶体的点阵类型是
(A) 立方 P (B) 立方 I
(C) 立方 F (D) 立方 C
2、A1 型密堆积的空间点有率为。
(A)34.01% (B)68.02% (C)71.05% (D)100%
3、估计下列化合物的熔点和硬度的变化次序正确的为
(A)KClNaClMgSMgOSiC
(B)SiCKClNaClMgOMgS
(C)KClNaClSiCMgOMgS
(D)NaClKClMgOMgSSiC
4、晶体的宏观对称元素(独立的)只有几种
(A)32 (B)8 (C)14 (D)230
5、面心立方金属晶体的一个晶胞中,正四面体空隙数与正八面体空
隙数分别为
(A)4,1 (B)8,1 (C)8,4 (D)4,2
6、晶体不可能属于的点群是
(A)D (B)Oh (C)D (D)Td
3h 5h
三、简答题
1、 晶胞两个要素的内容是什么?各用什么表示?
2 、 简述晶体结构和点阵这两者之间的关系。
3、 写出晶体衍射的 Bragg 方程,说明各个符号的意义。
4 、 为什么有立方面心,而无四方面心点阵型式?
5、 什么是结晶化学定律?
6、 衍射指标和晶面指标有何区别与联系?
四、计算题
1、 已知金属 Ni 为 A1 型结构,原子间最近接触距离为 249.2pm,
试计算立方晶胞的边长以及金属 Ni 的密度。
2 、 试计算立方体心密堆积的空间占有率?
3、 确定 A2 型堆积的消光规律。
4 、 试计算 A1 型堆积的空间占有率。
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