晶体结构填空题1属于立方晶系的晶体可抽象出的点阵类型.PDFVIP

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晶体结构填空题1属于立方晶系的晶体可抽象出的点阵类型

第五章 晶体结构 一、填空题 1、属于立方晶系的晶体可抽象出的点阵类型有____________ 。 2 、属于正交晶系的晶体可抽象出的点阵类型有____________ 。 3、属于四方晶系的晶体可抽象出的点阵类型有_____________ 。 4 、点阵是指___________________________________________ 5、晶体的衍射方向可用以测定晶体的______________数据。 6、将金属中的“自由电子”当作三维势箱中运动的电子, 试写出它 的 Schrodinger 方程。 7 、在 A 1 型堆积中,球数:正四面体空隙数:正八面体空隙数 =________ 。 8、等径圆球六方最密堆积结构划分出来的六方晶胞的原子分数坐标 为_____ 。 9 等径圆球六方最密堆积中密置层的堆积次序可表示为 _______________ 。 10、已知半径为 r 和 r 的两种圆球 (r ≠r ) , 其最大堆积密度均为 1 2 1 2 74.05%,所以这两种球混合堆积时最大堆积密度为_____________ 。 11、晶体按对称性分,共有______________个晶系。 12、NaCl 晶体的空间点阵型式为___________ 。 13、CsCl 晶体的空间点阵型式为___________ 。 14、CsCl 晶体中负离子的堆积型式为_______ ,正离子填入_______ 空隙中。 15、 NaCl 晶体中负离子的堆积型式为_______ ,正离子填入_______ 空隙中。 二、选择题 1、有一AB4型晶体,属立方晶系,每个晶胞中有 1 个A和 4 个B , 1 个A 的坐标是 (1/2 ,1/2,1/2), 4 个B 的坐标分别是(0,0,0) ;(1/2, 1/2,0) ;(1/2,0,1/2);(0,1/2,1/2), 此晶体的点阵类型是 (A) 立方 P (B) 立方 I (C) 立方 F (D) 立方 C 2、A1 型密堆积的空间点有率为。 (A)34.01% (B)68.02% (C)71.05% (D)100% 3、估计下列化合物的熔点和硬度的变化次序正确的为 (A)KClNaClMgSMgOSiC (B)SiCKClNaClMgOMgS (C)KClNaClSiCMgOMgS (D)NaClKClMgOMgSSiC 4、晶体的宏观对称元素(独立的)只有几种 (A)32 (B)8 (C)14 (D)230 5、面心立方金属晶体的一个晶胞中,正四面体空隙数与正八面体空 隙数分别为 (A)4,1 (B)8,1 (C)8,4 (D)4,2 6、晶体不可能属于的点群是 (A)D (B)Oh (C)D (D)Td 3h 5h 三、简答题 1、 晶胞两个要素的内容是什么?各用什么表示? 2 、 简述晶体结构和点阵这两者之间的关系。 3、 写出晶体衍射的 Bragg 方程,说明各个符号的意义。 4 、 为什么有立方面心,而无四方面心点阵型式? 5、 什么是结晶化学定律? 6、 衍射指标和晶面指标有何区别与联系? 四、计算题 1、 已知金属 Ni 为 A1 型结构,原子间最近接触距离为 249.2pm, 试计算立方晶胞的边长以及金属 Ni 的密度。 2 、 试计算立方体心密堆积的空间占有率? 3、 确定 A2 型堆积的消光规律。 4 、 试计算 A1 型堆积的空间占有率。

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