[工学]IGBT驱动电路.pptVIP

电源滤波电容 * * T1 看的不太明显，应该是一个N沟道的MOS， * * 全谐振型变换器（谐振变换器） 准谐振变换器和多谐振变换器 零开关PWM变换器 零转换PWM变换器 应用比较广泛的就是LLC谐振电路 软开关的实现方式 * 驱动电路要求 提供适当的正反向电压，使IGBT能可靠地开通和关断 提供IGBT适当的开关时间 IGBT开通后，提供足够的电压和电流幅值 保证IGBT电路较好的效率 较强的抗干扰能力及对IGBT的保护功能 一般来说我们推荐开通时，VGE=+15V，但应保证小于20V。 正偏压增大，IGBT通态压降和开通损耗均下降，但若Uce过大，则负载短路时其Ic随Uce增大而增大，对其安全不利 关断时，推荐-5V的反向偏置电压，一方面能够保证可靠的关断，另一方面，反向电压能够加速电流的下降，减小关断时间和开关损耗。 电压要求 正偏压增大，IGBT通态压降和开通损耗均下降，但若Uce过大，则负载短路时其Ic随Uce增大而增大，对其安全不利 我们也可以称之为功率要求。 电流要求 最小峰值电流 适当的开关时间 一般在栅极串接一个电阻RG，该阻值的大小对于开关时间起到非常大的作用 dv/dt能够表示为 加快关断速度 低频的工作场合，对EMI要求比较高的情况下，要求减慢电压变化 增大RG 另一方面可以通过在栅极和射极之间串接一个电容来降低关断速度 降低关断速度 减小di/dt 降低关断速度 下图中我们可以得出，关断时Vg=0V，所以 基本保护电路 保护要求 两个稳压管，保证正向和反向电压不会超过一定值，一般为正负20V * 驱动电路的隔离方式 隔离的作用： 在一般电路中，模拟地和数字地一定要隔离开来。 由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离 隔离类型 光电耦合器隔离 脉冲变压器隔离 光耦隔离驱动 典型的驱动电路（双电源） 光耦隔离驱动 典型的驱动电路（单电源） 富士的EXB840、841，三菱M57962L 惠普的HCPL316J等 典型集成驱动芯片 典型芯片EXB841 光耦隔离驱动 * 直接驱动 脉冲变压器驱动 * Thank you！ * * 绝缘栅双极晶体管 PNP晶体管与N沟道MOSFET组合而成，相当于用MOSFET来驱动PNP晶体管 当UGE大于开启电压时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。 because their insulated gate behaves like a capacitor 是一种场控器件 * * 拖尾电流 which does not exist for the MOSFET Hence the gate drive circuit has no effect on the tail current level and profile * * 拖尾电流 which does not exist for the MOSFET Hence the gate drive circuit has no effect on the tail current level and profile 使IGBT在正常工作及过载情况下不致退出饱和而损坏 两个稳压管，保证正向和反向电压不会超过一定值，一般为正负20V * * 上为NPN，下为PNP 模电书P43 * * 为防止门极开路或门极损坏时主电路加电损坏IGBT ，建议在栅射间加入一电阻Rge，阻值为10K左右 * * 过流软关断、高速光耦隔离、欠压锁定、故障信号输出功能 相对于分立元件驱动电路而言，集成化模块驱动电路抗干扰能力强、集成化程度高、速度快、保护功能完善、可实现IGBT的最优驱动。EXB840为高速型集成模块，最大开关频率达40kHz，能驱动75A，1200V的IGBT管。 * * IGBT 驱动电路 (IGBT Drive Circuit) 管乐诗 刘怀远 朱宏林 * 主要内容 IGBT简介 驱动电路要求 驱动电路的隔离方式与作用 典型驱动电路介绍 A 光耦隔离驱动 B 脉冲变压器隔离驱动 C 驱动模块（EXB841） IGBT的结构 静态（传输）特性曲线 动态开关特性曲线 拖尾电流 动态开关特性曲线 软开关技术 当电流自然过零时使器件关断—零电流关断（ZCS） 当电压下降到零时使器件导通—零电压导通（ZVS） 可以减小开关损耗，提高系统的效率 使dv/dt ，di/dt 减小，减小电磁污染和环境噪声 软开关技术 * * 绝缘栅双极晶体管 PNP晶体管与N沟道MOSFET组合而成，相当于用MOSFET来驱动PNP晶体管 当UGE大于开启电压时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供