[工学]半导体工艺教学以及电子线路基础.pdf

第一章：半导体产品发展概述 第一章：半导体产品发展概述 1947年第一只具有放大作用的点接触晶体管问世，与电 1947年第一只具有放大作用的点接触晶体管问世，与电 子管相比具有很多优点，引起人们广泛注意，在随后 子管相比具有很多优点，引起人们广泛注意，在随后 的十几年时间相继发明了各式各样晶体管(合金管、合 的十几年时间相继发明了各式各样晶体管(合金管、合 金扩散管、台面管等) 。1960年硅平面工艺和外延技术 金扩散管、台面管等) 。1960年硅平面工艺和外延技术 的出现，使半导器件的制造工艺获得重大突破。它为 的出现，使半导器件的制造工艺获得重大突破。它为 集成电路的制造开拓了广阔的途径，促进了半导体器 集成电路的制造开拓了广阔的途径，促进了半导体器 件进一步向微型化、低功耗和高可靠性方向发展。集 件进一步向微型化、低功耗和高可靠性方向发展。集 成度由SSI、MSI、LSI、VLSI步入了ULSI时代。 成度由SSI、MSI、LSI、VLSI步入了ULSI时代。 半导体产品发展概述 半导体产品发展概述 1957年第一只SCR问世以来功率器件也取得了长足的进 1957年第一只SCR问世以来功率器件也取得了长足的进 步，相继推出了GTO(可关断晶闸管)TRIAC(双向晶闸 步，相继推出了GTO(可关断晶闸管)TRIAC(双向晶闸 管)和GTR(达林顿功率晶体管)这些都是双极型器件，它 管)和GTR(达林顿功率晶体管)这些都是双极型器件，它 们共同优点是功率容量大，导通电阻小，缺点是存在少子 们共同优点是功率容量大，导通电阻小，缺点是存在少子 贮存效应，开关速度低，电流驱动，驱动功率大，不易控 贮存效应，开关速度低，电流驱动，驱动功率大，不易控 制，七十年末由IR和GE公司发明了单极型功率器件功率 制，七十年末由IR和GE公司发明了单极型功率器件功率 MOSFET，立即受到制造厂和用户的重视。三年后西方 MOSFET，立即受到制造厂和用户的重视。三年后西方 15家大公司均掌握了功率MOSFET生产技术 15家大公司均掌握了功率MOSFET生产技术 (VDMOS)，1983年诞生了IGBT双极型器件。半导体 (VDMOS)，1983年诞生了IGBT双极型器件。半导体 器件种类繁多，工艺有别，本次培训主要以外延平面工艺 器件种类繁多，工艺有别，本次培训主要以外延平面工艺 为主，介绍以下内容：单晶硅拉制及衬底制备、外延工 为主，介绍以下内容：单晶硅拉制及衬底制备、外延工 艺、氧化工艺、扩散与离子注入工艺、光刻工艺、蒸发工 艺、氧化工艺、扩散与离子注入工艺、光刻工艺、蒸发工 艺、芯片组装工艺。 艺、芯片组装工艺。 第2章 半导体三极管和交流电压放大 第2章 半导体三极管和交流电压放大 电路 电路  1. 掌握半导体三极管的基本结构、特性、电流  1. 掌握半导体三极管的基本结构、特性、电流 分配和放大原理。 分配和放大原理。  2. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射  2. 理解单管交流放大电路的放大作用和共发射 极、 极、  共集电极放大电路的性能特点。  共集电极放大电路的性能特点。  3. 掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微  3. 掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微 变 等效电路分析法。 变 等效电路分析法。  4. 了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的  4. 了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的 概念，了解放大电路的频率特性。 概念，了解放大电路的频率特性。 • 放大的概念: • 放大的概念: 放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。 放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。 放大的实质: 放大的实质: 用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放 用小能量的信号通过三极管的电流控制作用，将放 大电路