[工学]半导体器件物理课件1.pdfVIP

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2018-02-21 发布于浙江
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[工学]半导体器件物理课件1

第一章半导体物理基础 ●半导体中的电子状态 ●载流子的统计分布 ●简并半导体 ●载流子的散射 ●载流子的输运 ●非平衡载流子概述 1、本课程的主要内容 2、本课程的考核方式、答疑时间半导体物理基础 1.1半导体中的电子状态 ●半导体中电子的波函数和能量谱值 ●能带 ●有效质量 ●导带电子和价带空穴 ●Si/Ge/GaAs的能带结构 ●杂质和缺陷能级请复习《半导体物理基础》相关知识点！半导体物理基础 1.2载流子的统计分布 ●导带电子浓度  EC EF  n N C exp   （1-57）  KT  3   2 2 2m KT 其中 N c dn 称为导带有效状态密度 h3 ●价带空穴密度  EF EV  p N V exp   （1-60）  KT  3   2 2 2m KT dp 其中 N V 3 称为价带有效状态密度 h 半导体物理基础 1.2载流子的统计分布 ●导带电子浓度和价带空穴浓度之积 Eg np N N e KT （1-64） c V E E 式中为禁带宽度。与温度有关，可以把它写成经验关系 g g 式： Eg Eg 0 T 得： E g 0 3 KT