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07表面与界面物理 §3.4表面空间电荷区 3.4.1空间电荷区 考虑两块半导体单晶： 3.4.2表面空间电区的产生 表面空间电荷区的形成主要是在表面存在表面电场 任何材料都具有屏蔽外场的特性 金属：载流子浓度大，只需极薄一层载流子就可屏蔽外场 半导体、绝缘体：载流子浓度小，需一定厚度层中的载流子来屏蔽电场 空间电荷区产生 假设表面有一层1015cm-2的电荷 金属：电子浓度为1022cm-3，屏蔽需要10-7cm (1nm，1~2原子层） 半导体：载流子浓度为1016cm-3，屏蔽需要10-1cm（106nm） 绝缘体：载流子更少，屏蔽此电荷需要厚度更大 屏蔽区的电荷就是空间电荷 常用Debye长度LD表示空间电荷区的大小的单位 3.4.3形成表面电场的因素 1.表面态的影响 由于表面态与体内电子态之间交换电子，结果产生了垂直于表面的电场 (EF)s为表面费米能级，体费米为EF 通常两者不等，(EF)s≠ EF 这样表面与体内将发生电子（空穴）的交换，产生空间电荷区 表面与体内的电势差为表面（电）势，用VS表示 规定： 表面电势比内部高时，VS0 反之，表面电势比内部低时，VS0 2.能带弯曲 能带表示电子的能量状态的，电子能量越高，在能带上就是越靠上 有表面势存在时，空间电荷区内的电子受到一个附加电势的作用，电子的能量变为： EC’=EC?qVS EV’=Ev?qVS 这样表面区的能带就要发生弯曲 VG0，VS0时，取正号，空间电荷区的能带从体内到表面向上弯曲 表面电子能量比体内高→是一个势垒 3.4.5 表面区载流子浓度 体内：EC，Ev 空间电荷区 ： VG变化?VS变化?能带弯曲?电荷分布变化 VG0 VS0 VG=0 VG0 VG0 多子堆积 平带 多子耗尽 反型少子堆积 N型半导体表面空间电荷区的四种基本状态： VG0，金属接正，半导体接负 Vs0，能带下弯，多子堆积； VG=0，平带状态 VG0，金属接负，半导体接正 Vs0，能带上弯，多子耗尽； VG0， 反型层 3.4.7表面空间电荷区的电场、电势和电荷的分布 1.Poisson方程 只考虑一维情况，取x轴垂直于表面指向半导体内部，并规定表面处为x轴原点 r(x)为总的空间电荷密度 设表面空间电荷层中电离杂质浓度与体内相同 在半导体内部： 积分并考虑到： 得到： V0，取“+”；V0，取“－”。 其中： 德拜长度 F函数 在表面处：V=Vs， 表面处电场强度： 由高斯定理，表面的电荷面密度Qs为： * P型 Ｎ型 电离受主 电离施主 空间电荷区 ＋ ＋ ＋ － － － 内建电 场 如果(EF)s＜ EF Ec Ev EF (EF)s ? + － Ε 电场由体内向表面 2．功函数的差异 Eo Ec Ev (EF)s Ws Wm 金(M) 半(S) WSWM， (EF)S(EF)M + － ε 形成由金?半的电场 (EF)m 如果WSWM，即(EF)S(EF)M半导体中的电子向金属流动，形成由半?金的电场 3．氧化层中的杂质离子 S + + O M + + + － － －－ － ε 4．外加偏压 3.4.3表面能带的弯曲 1.表面电势 + + + ---- ------- -------- ---- M S 空间电荷区 电场由表面指向体内，VS0 电场由体内指向表面，VS0 Vs x 0 V(x) Vs VG＞0 x V(x) 0 VG＜0 VG0，VS0时，电子的能量为e?VS为负值，空间电荷区的能带从体内到表面向下弯曲, 形成表面势阱 V(x)0，能带向下弯 V(x)0 空穴的势垒 电子的势阱 V(x)0， V(x)0 电子的势垒 空穴的势阱 X=0 V(x)=Vs 3.4.6表面空间电荷区的四种基本状态 1. VG0 对于金属-半导体系统，金属接负，半导体接正 VS为负，能带上弯 °° °° ° ° ° P型半导体 0 这种多子浓度高于体内平衡浓度的表面层叫多子堆积层，称此时的表面空间电荷层处于多子堆积状态 2. VG=0，VS=0 能带是平坦的 Ec Ev 表面区电荷为0，称这种状态为平带状态 3. VS0 金属接正，半导体接负 Ec Ev EF Ei qVs qVB VB是体内势 ： ps(po)p，空间电荷区的负电荷绝大部分为过剩的电离的受主 M + + + + + + S －－ －－－ － 电离的受主 这种状态称为耗尽状态，空间电荷区为耗尽层 4. VS0 N P ??? ?? ---- 电子