[工学]第3章半导体二极管及其基本应用电路.ppt

第3章 半导体二极管及其基本应用电路 主要内容： 第3章　半导体二极管及其基本应用电路 　　空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 U 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 O U Cb 图 1.2.8 （2）. 扩散电容 Cd 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 　　正向电压时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 （3）结电容 　　PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。 　　Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法--几十皮法，有些结面积大的二极管可达几百皮法。 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ 讨论一 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 为什么半导体器件有最高工作频率？ 　　晶体二极管是由PN结构成的一种最简单的半导体器件，由于其单向导电性而在电子线路中有广泛的应用。 GaAs-AlGaAs 谐振腔发光二极管 Ge二极管 Si二极管 3.2半导体二级管及其基本应用电路 　　将 PN 结封装在塑料、玻璃或金属外壳里，再从 P 区和 N 区分别焊出两根引线作正、负极。 二极管的结构： 外形图 半导体二极管又称晶体二极管。 图 　二极管的外形和符号 半导体二极管的类型： 　　按 PN 结结构分：有点接触型和面接触型二极管。 　　点接触型管子中不允许通过较大的电流，因结电容小，可在高频下工作。 　　面接触型二极管 PN 结的面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作。 平面型二极管是采用扩散法制成的.结面积较大的可用大功率整流,结面积小的可作为脉冲数字电路中的开关管. 　　按用途划分：有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。 按半导体材料分：有硅二极管、锗二极管等。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4)　二极管的代表符号 3.2.2二极管的伏安特性 　　在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，I = f (U )之间的关系曲线。 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 硅管的伏安特性 死区电压 击穿电压 U(BR) 反向特性 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 锗管的伏安特性 0 图 　二极管的伏安特性 （1）. 正向特性 当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。 　　相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关，硅管约 0.5 V 左右，锗管约 0.1 V 左右。 正向特性 死区电压 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 　　当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。 （2）. 反向特性 – 0.02 – 0.04 0 –25 –50 I / mA U / V 反向特性 　　当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和； 　　二极管加反向电压，反向电流很小； 　　如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大；这种现象称击穿，对应电压叫反向击穿电压。 反向饱和电流 　　击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。 击穿电压 U(BR) 几十μA 0.1~0.3V 0.1V 锗Ge 1μA以下 0.5~0.8V 0.5V 硅Si 反向饱和电流 导通电压 开启电压 材料 结论： 　　二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 　　从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。 在环境温度升高时，二级管的正