【2018年最新整理】微电子工艺课程总结.pptVIP

课程总结 西安电子科技大学微电子学院 戴显英 2005.6.27 绪论（了解） 一、微电子技术发展历史 二、微电子技术发展的规律与 趋势 三、器件与集成电路制造工艺  简介 1、硅外延平面晶体管制造工艺（了解） （3DK3 —NPN型开关管） 2、PN结隔离双极型集成电路制造工艺（了解） 3、集成电路的特有工艺 （熟悉） ①隔离扩散 ②埋层扩散 第一章 衬底制备 §1.1 衬底材料（了解） 一、衬底材料的类型 1. 元素半导体 Si、Ge、C（金刚石） 2. 化合物半导体 GaAs、SiGe 、SiC 、GaN、ZnO 、HgCdTe 3. 绝缘体 蓝宝石 表1 周期表中用作半导体的元素 Ⅱ族 Ⅲ族 Ⅳ族 Ⅴ族 Ⅵ族 第2周期 B C N 第3周期 Al Si P S 第4周期 Zn Ga Ge As Se 第5周期 Cd In Sn Sb Te 第6周期 Hg Pb 二、对衬底材料的要求（了解） §1.2 单晶的制备（了解） 一、直拉法（CZ法） 二、悬浮区熔法（float-zone，  FZ法） 三、水平区熔法（布里吉曼法）  ---GaAs单晶 §1.3 衬底制备 一、晶体定向（了解） 1．光图像定向法（表1.11） 2. X射线衍射法 二、晶面标识