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选择性发射极太阳电池结构及其实现方法 太阳电池的发展方向是低成本、高效率，而选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳电池生产工艺中有希望实现高效率的方法之一。 　　引言 太阳电池的发展方向是低成本、高效率，而选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳电池生产工艺中有希望实现高效率的方法之一。选择性发射极结构有两个特征：21tyn·com 　　1）在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2）在其他区域形成低掺杂浅扩散区。结合其特征，实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。其实现方法有很多，但总的来说，可以分为双步扩散法和单步扩散法。双步扩散法是进行两次热扩散而形成该结构。而单步扩散法是在一次热扩散中形成该结构。这两种扩散法都有很多种操作形式。但由于双步扩散法存在不足，单步扩散法已逐渐成为制作选择性发射极的主要方法，其具体操作一般都是首先在硅片表面的不同区域得到不同量的扩散杂质源，由于扩散杂质源的不同将会得到不同的扩散结果，进行热扩散后就形成高低浓度的掺杂，得到选择性发射极结构。所以，本文主要就单步扩散法中实现选择性发射极的工艺方法进行讨论，并提出几种可行的改进方法，期望能为低成本实现选择性发射极结构提供新的思路。中国太阳能产业联盟网 　　1选择性发射极结构的特征及优点21tyn·com 　　1.1选择性发射极结构的特征 　　选择性发射极结构有两个特征：21 　　1）在电