[2018年最新整理]半导体材料第4讲-晶体生长.pptVIP

半导体材料 Tel: Email：zxdlab@163.com 第三章 晶体生长 制造半导体器件的材料，绝大部分是单晶体，包括体单晶和薄膜单晶，因此，晶体生长问题对于半导体材料研制，是一个极为重要的问题。 本章主要内容： 1、晶体生长的基本理论 2、熔体中生长单晶的主要规律 3、单晶的生长技术 晶体生长理论基础 晶体的形成方式： 晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。 由气相、液相转变成固相可形成晶体，固相之间也可以直接产生转变。 晶体生长方式分三大类： 固相生长 液相生长，包括溶液生长和熔体生长 气相生长 天然晶体的生长 1．由气相转变为固相： 从气相转变为固相的条件是要有足够低的蒸气压。在火山口附近常由火山喷气直接生成硫、碘或氯化钠的晶体。雪花就是由于水蒸气冷却直接结晶而成的晶体。 火山口生长的硫(S)晶体 夏威夷火山 2. 由液相转变为固相： 1.从熔体中结晶,即熔体过冷却时发生结晶现象，出现晶体； 2.从溶液中结晶,即溶液达到过饱和时，析出晶体； 3.水分蒸发，如天然盐湖卤水蒸发，盐类矿物结晶出来；通过化学反应生成难溶物质。 天然盐湖卤水蒸发 珍珠岩 3．由固相变为固相： 1).同质多相转变， 某种晶体在热力学条件改变的时候，转变为另一种在新条件下稳定的晶体； 2).原矿物晶粒逐渐变大，如由细粒方解石组成的石灰岩与岩浆接触时，受热再结晶成为由粗粒方解石组成的大理岩； 细粒方解石 大理岩 3．由固相变为固相： 3). 固溶体分解，在一定温度下固溶体可以分离成为几种独立矿物； 4).变晶，矿物在定向压力方向上溶解，而在垂直于压力方向上结晶，因而形成一向延长或二向延 展的变质矿物，如角闪石、云母晶体等； 5).由固态非晶质结晶，火山喷发出的熔岩流迅速冷却，固结成为非晶质的火山玻璃，这种火山玻璃经过千百年以上的长 时间以后，可逐渐转变为结晶质。 晶体形成的热力学条件 从图上直接说明气-固相、固-液相转变的条件。 晶体形成的热力学条件 从图可直接看出： 气-固相转变条件： 温度不变，物质的分压大于其饱和蒸汽压。 压力不变，物质的温度低于其凝华点。 晶体形成的热力学条件 从可直接看出： 固-液相转变的条件： 对熔体，压力不变，物质的温度低于其熔点 不能看出的条件： 液-固相，对溶液，物质的浓度大于其溶解度。 概括来说， 气－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和蒸气压。 液－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过饱和度。 固－固相变过程时，要析出晶体，要求有一定的过冷度。　　　　　　　　　　　 详见课本3－1－1 晶核的形成 研究发现，结晶过程是由形核与长大两个过程所组成。 结晶时首先在液体中形成具有某一尺寸（临界尺寸）的晶核，然后这些晶核不断凝聚液体中的原子而长大。形核过程和长大过程紧密联系但又有所区别。 晶核的形成 在母相中形成等于或超过一定临界大小的新相晶核的过程称为“形核” 形成固态晶核有两种方法， 1) 均匀形核，又称均质形核或自发形核。 2) 非均匀形核，又称异质形核或非自发形核。 晶核的形成 均匀形核：当母相中各个区域出现新相晶核的几率相同，晶核由液相中的一些原子团直接形成，不受杂质粒子或外来表面的影响，这种形核叫均匀形核，又称均质形核或自发形核 晶核的形成 非均匀形核：若新相优先在母相某些区域中存在的异质处形核，即依附于液相中的杂质或外来表面形核，则称为非均匀形核。又称异质形核或非自发形核 气相中的均匀成核 在气-固相体系中，气体分子不停的做无规则的运动， 能量高的气子发生碰撞后再弹开，这种碰撞类似于弹性碰撞， 而某些能量低的分子，可能在碰撞后就连接在一起，形成一些几个分子(多为2个)组成的“小集团”，称为“晶胚”。 气相中的均匀成核 晶胚有两种发展趋势： 1、继续长大，形成稳定的晶核； 2、重新拆散，分开为单个的分子。 晶体熔化后的液态结构是长程无序的，但在短程范围内却存在着不稳定的接近于有序的原子集团，它们此消彼长，出现结构起伏或叫相起伏。 液相中的均匀成核 当温度降到结晶温度时，这些原子集团就可能成为均匀形核的“胚芽”，称为晶胚；其原子呈晶态的规则排列，这就是晶核。 液相中的均匀成核 晶体生长 的一般过程是先生成晶核，而后再长大。一般认为晶体从液相或气相中的生长有三个阶段： ①介质达到过饱和、过冷却阶段； ②成核阶段； ③生长阶段。 关于晶体生长的有两个理论：1.层生长理论；2.螺旋生长理论。 当晶体生长不受外界任何因素的影响时，晶体将长成理想晶体，它的内部结构严格的服