凝固凝固.ppt

3.3.4 通过螺型位错生长 3.3.5 通过孪晶面生长 生长速率比较 思考题 纯金属形核过程中的能量变化有那些？画图说明并写出晶核为球形时的自由能变化表达式。 什么是晶核临界半径及其表达式？ 什么叫晶坯？为什么只有当晶坯尺寸超过临界半径后才可连续长大？ 说明什么是均匀形核？什么是均匀形核的临界形核功？写出其表达式。 什么是非均匀形核？在实际生产中有什么意义？ 什么叫热力学过冷度？它对研究凝固和实际生产有什么意义？ 什么叫形核率？影响形核率的主要因素是什么？ 固液界面的类型有那些？其结构特征如何？ 什么是连续生长？连续生长的生长速率怎么表示？ 什么叫动力学过冷度？有什么意义？ 晶体缺陷对于晶体生长有什么作用？ 第 3章 形核和生长 现代液态金属结构理论认为，液态中原子从长程来说是无序、无规则排列的；而在短程范围内，原子某一瞬间是接近晶态的规则排列的原子团簇。 这种时聚时散的“短程有序”现象称为“结构起伏”或“相起伏”。 这种短程有序的原子集团称为晶胚。在一定条件下，大于一定尺寸的晶胚就可能成为晶核。 3.1.1 液态金属的结构 3.1 形核 液态金属凝固过程是一个形核及核长大的过程。 当液态金属冷却至熔点以下，经过一定时间的孕育，就会涌现一批小晶核，随后这些晶核按原子规则排列的各自取向长大，与此同时又有另一批小晶核生成和长大，直至液体全部耗尽为止。 每个晶核长大至相互接触后，形成外形不规则的小晶体叫做晶粒，由多个这样的小晶粒则组成了多晶体。晶粒之间的界面即为晶界。 形核 长大 在过冷度为?T时析出体积为V的晶核引起的体积自由能变化?GV及产生的界面能?Gi分别为 如果析出的固相为球形， 3.1.2 均匀形核 形核 凝固过程中的形核可以定义为从熔体中形成的能够连续长大的小晶体。在均匀熔体中的形核叫做均匀形核。 形核过程中的能量变化 包括固液两相体积自由能的变化和固液界面表面能的变化 ?H －凝固潜热，?T－过冷度， T m－熔点，σ－固/液界面张力 对于低于熔点 Tm 的任一温度能够和液相平衡共存的固相具有的特征尺寸 小于临界半径 r*时，称为晶坯。 在任一过冷度下，熔体中随机分布着尺寸不一的原子团簇和晶坯，只有尺寸超过临界半径 r*的晶坯才可长大 晶核临界半径 当 ?G 取得最大值时(由d(?G)/dr = 0得出）所对应的晶核半径 称为晶核临界半径 ： 由于温度起伏使晶坯尺寸超过临界半径 r*后，总的能量降低，晶核可连续长大. T ? Tm 临界形核功：形成临界晶核所需的自由能变化 临界晶核半径与过冷度成反比，均匀形核在大过冷度下才可发生( 0.25Tm). 临界形核功 可见，临界形核功相当于表面能的1/3，即固液相之间的自由能差只能供给形成临界晶核所需表面能的2/3，其余的1/3需要靠能量起伏来补充 A*— 临界晶核表面积 ? = 180?, f(?) =1, 均匀形核. ? = 0?, f(?) = 0, ?G* = 0, 凝固在熔体冷却到熔点时立即发生 非均匀形核只需很小的过冷度。 3.1.3非均匀形核 非均匀形核 在液相中对形核有催化作用的现成界面上形成晶核的过程。 这种现成界面可以是悬浮于熔体中的夹杂颗粒、熔体表面的氧化膜、铸模的内表面等。 非均匀形核的形核功?G* ?cL = ?cS + ?SL cos? Crystal Crystal Liquid θ ?SL ?CL ?CS 3.1.4形核率 形核率——单位时间单位体积熔体内形成的晶核数目 均匀形核的形核率 ?Gn* 形成临界晶核需要的能量；Gd 扩散激活能 非均匀形核的形核率具有和均匀形核形核率相同的形式 I ?T 0.2Tm I 在过冷度为 0.2Tm ～ 0.4 Tm的范围内急剧增加 形核率受到原子团簇的形成速度和原子向晶核的扩散速度影响. 增加 ?T, 形成晶核的数量更多，临界尺寸更小；但随着温度降低，原子扩散能力降低 这两个对立的因素导致在某一温度（临界温度Tc ）具有最大的形核率 3.1.5 合金的形核 合金的 ?Gv 不仅取决于温度，还取决于液相的成分和固相的成分 在给定温度下， ?G 由液相成分、晶核的成分和尺寸等因素所决定 3.2 界面结构 S-L界面分类： 小晶面型（faceted ） 非小晶面型（ non- faceted） 3.2.1非小晶面型 S-L界面宏观光滑 ，原子可以向界面上任何部位添加，晶体形状主要由热扩散和溶质扩散决定. 由于界面能的各向异性，晶体在长大方向受由择尤取向的倾向，树枝晶的枝干有一定的结晶取向。 金属通常呈非小晶面型界面生长 3.2