1半导体器件BWU精品.pptVIP

  • 2
  • 0
  • 约6.64千字
  • 约 83页
  • 2018-02-24 发布于湖北
  • 举报
1半导体器件BWU精品

* 1-* 1-* 1-* 二、MOS管的工作原理 1-* 1-* 1-* 1-* 1-* 截止等效 1-* 1-* 饱和等效 1-* N沟道增强型 1-* N沟道耗尽型 1-* P沟道增强型 1-* P沟道耗尽型 1-* 三、增强型N沟道MOS管的特性曲线 1. 转移特性曲线 0 ID UGS UGS(th) UGS(th) 开启电压 IDO为UGS=2 UGS(th) 时的ID值。 1-* 2. 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS(th) 1-* 1. 输出特性曲线 四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 输出特性曲线是指以uGS为参变量时,iD和uDS的关系。 iD=f(uDS)| uGS=常数 ID mA V UDS UGS G S D 实验线路 (共源极接法) 1-* UGS=0V U DS (V) ID(mA) 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=-1V UGS=-2V 夹断电压UP=-2V 固定一个U DS,画出ID和UGS的关系曲线,称为转移特性曲线 1-* 0 ID UGS 2. 转移特性曲线 转移特性曲线是指以uDS为参变量时,iD和uGS的关系。 iD=f(uGS)| uDS=常数 IDSS UGS(off) 漏极饱和漏电流 IDSS 夹断电压 UGS(off) 1-* 五 绝缘栅场效应管类型 一、N沟道增强型 P型基底 两个N

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档