2018级模电测验试题.docxVIP

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2018-02-23 发布于江西
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2018级模电测验试题.docx

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2013级《模拟电子技术基础》测验试题一、填空题，每空1分（共10分）1、PN结反向击穿可分为齐纳击穿和雪崩击穿两种，击穿电压较小的一般为（）；反向击穿还可分为电击穿和热击穿两种，其中（）为不可逆击穿。2、半导体导电沟道除了可分为N沟道和P沟道外，还可分成（）、（）和（）三种。3、要使各级放大电路Q点相互独立，应采用（）方式；要放大直流信号只能采用（）方式。4、在放大电路中引入直流负反馈，其目的主要是稳定放大电路的（）；在放大电路中引入交流负反馈，则是为了改善放大电路的（）；在（）中才会用到正反馈。二、选择填空，每空2分(共10分)1、若使PNP型BJT工作在放大区，其控