2018级模电期末.docVIP

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2018-02-23 发布于江西
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武汉大学电气工程学院 2015-2016学年度第一学期期终考试《模拟电子技术》试卷A 学号姓名院（系）分数一、判断题，每小题1分（共10分）用“√”或“×”表示判断结果 1、本征半导体的导电能力和温度有关。 2、模拟集成电路内部采用直接耦合方式是因为该耦合方式比RC耦合方式更为简单。 3、N沟道JFET场效应管控制电压UGS=0时，漏极电流ID也为零。 4、FET、BJT小信号模型中的参数均与静态工作点无关。 5、放大电路中的耦合电容、旁路电容越大，其下限频率