控制传感器电桥偏置Honeywell.PDFVIP

SUNSTAR传感与控制 /TEL:0755FAX:0755E-MAIL:szss20@163.com 控制传感器电桥偏置 Honeywell 摘要 什么是电桥偏置 各向异性磁阻(AMR)传感器一般是以称为惠斯 电桥偏置电压是输出节点 Vo+和 Vo- 的电压差 顿电桥的四元件形式工作的 这种电桥传感器 (单位 伏特) 的结果 惠斯顿电桥上的电压在 能提供许多需要的特性 但一个不需要的特性 输出节点上输出 但是 如果传感器供电改变 是检测不到任何传感器激励的输出电压 被称 就会输出不需要的偏置电压( 其值或极性不 为偏置电压 如果不对这种偏置电压进行补偿 变) 图2 图示了施加在一个HMC1001 灵敏度 则可能降低传感器系统的性能 此应用说明将 图上的典型电桥偏置电压 详细阐述电桥偏置的特性 对传感器电路的影 响并采取的几种补偿偏置的方法 复位 置位 V 电桥=5.00 伏 AMR 传感器电桥 出 因为 AMR 传感器能设计用在惠斯顿电桥配置 输 电桥 中 所以制造目标是创建四个电气性能上相同 偏置 的磁阻元件 其对角上的一对元件可对附近磁 电压 场起到相同物理影响 外加磁场(高斯) 惠斯顿电桥的原理是产生两个分压器元件( 半 图1 个电桥) 每一个元件通常在 零点 或传感器 偏置/ 灵敏度图 没有激励时都具有相同的电抗 当每个半桥均 在其零点时 每个分压器上的预计电压应当是 总电桥供电电压(Vb) 的一半 因此 惠斯顿电 使用 AMR 传感器时 电桥偏置电压主要是由 桥输出节点(Vo+ Vo-)应当相同 图 1 示意了 每个传感器元件的精确电阻值引起的 虽然霍 一个典型的AMR 惠斯顿电桥电路 尼韦尔公司的制造过程使用了半导体制造设 备 可获得精度匹配的 AMR 元件 但在坡莫 惠斯顿 合金(NiFe)薄膜熔敷到平板印刷控制区域时的 电桥 公差会导致一些电阻值失配 即使用数百至数 V 电桥 千欧姆的电阻元件 微量的电阻误差也能产生 相当大的电桥偏置电压 以图1 为例 使用一个HMC10