晶柱成长制程.PDFVIP

《晶柱成長製程》 矽晶柱的長成，首先需要將純度相當高的矽礦放入熔爐中，並加入預先 設定好的金屬物質 ，使產生出來的矽晶柱擁有要求的電性特質 ，接著需要將所 有物質融化後再長成單晶的矽晶柱，以下將對所有晶柱長成製程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放於石英坩鍋內的塊狀複晶矽加 熱製高於攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最 重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較 大的功率來融化複晶矽，石英坩鍋的壽命會降低， 反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的 產能。 頸部成長（Neck Growth） 當矽融漿的溫度穩定之後，將1.0.0方向的晶 種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉昇，並使直徑 縮小到一定（約6mm），維持此直徑並拉長 10-20cm，以消除晶種內的排差（dislocation），此種 零排差（dislocation-free）的控制主要為將排差侷限 在頸部的成長。 晶冠成長（Crown Growth） 長完頸部後，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部 的直徑逐漸增加到所需的大小。 晶體成長（Body Growth） 利用拉速與溫度變化的調整來遲維持固定的晶 棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液 面高度，於是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐 漸增加，此輻射熱源將致使固業界面的溫度梯度逐 漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降 低，以避免晶棒扭曲的現象產生。 尾部成長（Tail Growth） 當晶體成長到固定（需要）的長度後，晶棒的 直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免 因熱應力造成排差與滑移面現象。 《晶柱切片後處理》 矽晶柱長成後，整個晶圓的製作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與 檢測 ，裁切掉頭尾的晶棒將會進行外徑研磨 、切片等一連串的處理 ，最後才能 成為一片片價值非凡的晶圓，以下將對晶柱的後處理製程做介紹。 切片（Slicing ） 長久以來經援切片都是採用內徑鋸，其鋸片是一 環狀薄葉片，內徑邊緣鑲有鑽石顆粒，晶棒在切片前 預先黏貼一石墨板，不僅有利於切片的夾持，更可以 避免在最後切斷階段時鋸片離開晶棒所造的破裂。 切片晶圓的厚度、弓形度（bow）及撓屈度（warp） 等特性為製程管制要點。 影響晶圓品質的因素除了切割機台本身的穩定度與 設計外，鋸片的張力狀況及鑽石銳利度的保持都有很 大的影響。 圓邊（Edge Polishing） 剛切好的晶圓，其邊緣垂直於切割平面為銳利的 直角 ，由於矽單晶硬脆的材料特性，此角極易崩裂， 不但影響晶圓強度，更為製程中污染微粒的來源，且 在後續的半導體製成中，未經處理的晶圓邊緣也為影 響光組與磊晶層之厚度，固須以電腦數值化機台自動 修整切片晶圓的邊緣形狀與外徑尺寸。 研磨（Lapping） 研磨的目的在於除去切割或輪磨所造成的鋸痕 或表面破壞層，同時使晶圓表面達到可進行拋光處理 的平坦度。 蝕刻（Etching） 晶圓經前述加工製程後，表面因加工應力而形成 一層損傷層（damaged layer），在拋光之前必須以化 學蝕刻的方式予以去除，蝕刻液可分為酸性與鹼性兩 種。 去疵（Gettering） 利用噴砂法將晶圓上的瑕疵與缺陷感到下半 層，以利往後的IC製程。 拋光（Polishing） 晶圓的拋光，依製程可區分為邊緣拋光與表面拋 光兩種 x 邊緣拋光（Edge Polishing ） 邊緣拋光的主要目的在於降低微粒（particle ）附 著於晶圓的可能性，並使晶圓具備較佳的機械強度， 但需要的設備昂貴且技術層面較高，除非各戶要求， 否則不進行本製程。 x 表面拋光（Surface Polishing ） 表面拋光是晶圓加工處理的最後一道步驟，移除 晶圓表面厚度約10-20 微米，其目的在改善前述製程 中遺留下的微缺陷，並取得局部平坦度的極佳化，以 滿足IC 製程的要求 基本上本製程為化學－機械 的反應機制，由研磨劑中的NaOH , KOH , NH4OH 腐 蝕晶圓的最表層，由機械摩擦作用提供腐蝕的動力來 源。 《晶圓處理製程介紹》 基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經過適當的清 洗（Cleaning ）之後 ，送到熱爐管 （Furnace ）