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深亚微米p及氮在其中的作用JournalofSemiconductors
第 26 卷 第 1 期 半 导 体 学 报 Vol. 26 No. 1
2005 年 1 月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Jan. ,2005
深亚微米 p + 栅 pMOSFET 中 NBTI 效应
及氮在其中的作用
韩晓亮 郝 跃 刘红侠
( 西安电子科技大学微电子研究所 , 西安 710071)
摘要 : 研究了 p + 栅 pMOSFET 中的NBTI 效应. 通过实验分析了 NBTI 应力后器件特性及典型参数的退化 ,研究了氮
化栅氧中氮对 NBTI 效应的作用 ,并给出了栅氧中的氮对NBTI 效应影响的可能机制 ,即栅氧中氮形成的 Si —N 键不
易被分解 ,但栅氧中的氮提供了 H + 的陷阱中心 ,导致NBTI 效应中氧化层正固定电荷的增加 ,其总体效果表现为氮
对 NBTI 效应退化影响的增加.
关键词 : NBTI 效应 ; 氮化栅氧 ; 界面态 ; 氧化层正固定电荷
EEACC : 0170N ; 2570D
( )
中图分类号: TN306 ; TN3861 文献标识码 : A 文章编号 : 2005
1 引言 2 NBTI 效应对 p + 栅 pMOSFET 特性
及参数退化的影响
NBTI 效应发生在高温和负栅压偏置应力下的
μ
pMOSFET 中 ,它导致了器件饱和漏电流 I dsat 的绝对 本研究采用的样品是 TSMC 加工的硅栅 025 m
值和跨导 G 的减少 ,关态电流 I 和阈值电压 V pMOSFET 器件 ,多晶硅栅采用 p + 注入 ,器件沟道长
m off th
度 L = 025μ T 为 5nm ,栅氧采用氮化
的增加. 其主要原因是在 NBTI 应力的作用下在器件 m ,栅氧厚度 ox
Si/ SiO 界面处 ,界面态 D 及氧化层正固定电荷 Q 处理. 测试中首先在室温下测量器件的初始特性 ,然
2 it f
增加. 目前随着器件尺寸及栅氧厚度的不断缩小,氮 后对器件施加 NBTI 应力 ,NBTI 应力的设置为器件
化栅氧工艺被普遍采用 ,栅氧中通常用掺氮来减少 源极、漏极以及衬底电极接地 ,在栅极加负电压 , 同
pMOSFET 中的硼扩散 , 改善抗热载流子能力 ,增加 时采用高温加热台对器件加热至设定温度并保持恒
介电常数等 , 但是氮化栅氧大大增强了器件中的 定. 在指定的间隔时间去除负栅应力并将器件冷却
μ 至室温进行测量. 典型的 NBTI 应力设置如图 1 所
N
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