第八章晶体结构与晶体材料结构化学精品课程StructuralC.ppt

目录 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 导体的能带结构特征是具有导带． Na的能带结构: 1s、2s、2p能带都是满带，而3s能带中只填充了其中 N／2个轨道，是部分填充电子的能带，即导带． §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 密置双层 密置双层保持六重对称性。由两层六方格子构成一个平行六面体，每个平行六面体分摊到一个圆球、两个正四面体空隙相一个正八面体空隙。 第三层等径球的密堆积方式： 一种是第三层中球的位置落在密置双层的正四面体空隙之上，其投影位置与第一层相同。这种方式称为ＡＢ堆积方式。仍保持密置双层的六重对称性 另一种是第三层中球的位置落在密置双层的正八面体空隙之上，称为ＡＢＣ堆积，其对称性降为3。 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 A1堆积（ＡＢＣ） 可抽出立方面心晶胞。有 ，密置面为(111)面, 晶胞中有四个球, 其分数坐标为0 0 0, 1/2 1/2 0, 1/2 0 1/2, 0 1/2 1/2。配位数： 12 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 A3最密堆积形成后, 从中可以划分出六方晶胞. §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 两种最密堆积Ａ１，Ａ３ 配位数均为１２，空间利用率为74.06%，球数︰正四面体空隙数︰正八面体空隙数为１︰２︰１。但二者的对称性和堆积方向不同，Ａ１的堆积方向在立方体的四条对角线上，（３次轴方向）Ａ３的密置层堆积方向只有一个，晶胞的Ｃ轴方向（６次轴方向） §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 §8.1 晶体结构的能带理论与密堆积原理 NaCl型晶体结构的两种描述 分数坐标描述 A: 0 0 0 B: 1/2 1/2 1/2 ZnS型晶体结构 分数坐标描述 A： 0 0 0 0 1/2 1/2 1/2 0 1/2 1/2 1/2 0 B: 1/4 1/4 3/4 1/4 3/4 1/4 3/4 1/4 1/4 3/4 3/4 3/4 分数坐标描述 A： 0 0 0 2/3 1/3 1/2 B: 0 0 5/8 2/3 1/3 1/8 §8.3 离子晶体的结构与应用 §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 §8.4 共价键型晶体、分子型晶体和混合键型晶体 CaF2型（萤石型） F- 作简单立方堆积， Ca2+填入立方体空隙（占据分数50%），配位比为8∶4（F-的配位数为4，Ca2+的配位数为8）。 (有效半径比) Pauling半径比 Shannon半径比 Ca2+： (0,0,0), (1/2,1/2,0)，(1/2,0,1/2), (0,1/2,1/2) F-：(1/4,1/4,1/4), (3/4,1/4,1/4), (1/4,3/4,1/4), (1/4,1/4,3/4), (3/4,3/4,1/4), (3/4,1/4,3/4), (1/4,3/4,3/4), (3/4,3/4,3/4) 属于立方面心点阵， 结构单元为一个CaF2 分数坐标： TiO2型（金红石型） O2- 近似按立方A1 型堆积，Ti4+填充了变形八面体空隙中（占据率50%