适用于极端脉冲功率和亚微秒开关的第二代硅和碳化硅SGTO.PDFVIP

大功率开关 适用于极端脉冲功率 和亚微秒开关的 第二代硅和碳化硅SGTO 通过一系列ARL合作协议，Silicon Power已经能够为极端脉冲功率来优化硅和碳化硅 （SiC）超级GTO （SGTO），这些器件可在超过10kA/平方厘米下工作，这比传统可 控硅的密度高了约10倍。此外，SGTO主动关断也为在高dV/dt条件下支持10微秒或 更短的恢复电压时间（t ）提供了机会。 q Through a series of ARL Cooperative Agreements, Silicon Power has been able to optimize Silicon and SiC Super GTOs (SGTO) for extreme pulse power, operating in excess of 10kA/cm2, about a 10-fold higher density than the traditional thyristor. Moreover, SGTO active turn-off also provides the opportunity for supporting recovery voltage times (t ) of 10μs or less at high dV/dt. q 作者：Silicon Power公司V. Temple 、J. Waldron、F. Holroyd、S. Almarayati和J. Azotea ，958 Main St ，Suite A ，Clifton Park ，NY 12065 ，USA 本文将详细介绍硅（Si）和碳化硅（SiC）器件，以及以这些功率 密度工作的模块和一些支持第二代SGTO的成功建模。 SGTO与GTO Silicon1Power的SGTO是一个IC代工制造的GTO。尽管 SGTO设计采用了几代旧的设计规则（为了确保高产量），其单 元结构仍要比传统GTO设计致密3000倍。结终端延伸（junction termination extension ，JTE）的平面设计允许用浅离子注入发 射极和上基极（upper base）来取代深扩散结。较薄的上基极降 低了器件的串联电阻，同时减少了关断过程中要去除的必要的电 荷，参见图1。增加的单元（cell）密度提高了电流的均匀性。结合 这些优势产生了大大降低的正向压降，同时关断损耗减少了三 倍，导通损耗改善了100倍。 图1：（1）相比传统GTO单元密度的SGTO单元密度。 1 Bodo’s功率系统® 2014年10月 大功率开关 图1：（2）相比平面晶圆代工制造的SGTO深扩散传统技术 图3：作为发射极面积和脉冲宽度百分比函数的I2t能力 启用160,000/平方厘米的单元密度是Silicon Power的专 利ThinPak 1lid[1]。ThinPak 以紧密接触的具有非常低寄生电阻 和电感的高度指状交叉指（interdigitated1finger）取代了引线 键合（wirebond）。ThinPak 的进一步优势包括：引线键合热循 环数量级的改善[2] ，稳健的已知良好片芯（KGD）平台增加了 模块的产量，以及大型顶面金属板面模式（pattern）的电极接 线，如图2所示。 图4：上图：承载20A （左）和9kA （右）的10毫米碳化硅SGTO的垂直