透明非晶氧化物半导体的材料特性和应用.PDFVIP

NPG Asia Mater. 2(1) 15–22 (2010) doi: 10.1038/asiamat.2010.5 透明非晶氧化物半导体的材料特性和应用 神谷利夫和细野秀雄（编写）日本东京工业大学 焦 峰和王海宏（译）南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 jjaoff@163.com 2/Vs ） 透明非晶氧化物半导体具有独特的电子传输性能，如大的电子迁移率（10–50 cm 和不存在霍尔电压信号异常，这些是在常规的非晶半导体中看不到的。作为薄膜晶体管 （TFT ：Thin Film Transistor ）的沟道层具有这样的特征，它可以沿用以前工艺优势，如利 用常规的溅射方法在低温下成膜，因此这类材料已倍受关注。这种趋势的主要驱动力是迅速 崛起的需求，它将作为可以推动下一代平板显示器的背沟道薄膜晶体管的材料来使用。本文 回顾了这些材料在基础科学和TFT 应用上的最新进展。强调了这种观点，强离子性的化学 键链接和在p 区金属氧化物中空置金属的s 轨道的大球形传播将导致这种电子结构的实现， 它对于n-沟道TFT 的应用来说是有利的。另外将非晶氧化物半导体与传统的氢化非晶硅进 行了比较，氢化非晶硅作为背沟道薄膜晶体管的沟道材料在目前的液晶显示器中广泛使用。 非晶半导体已经形成了一个新的领域被称为“巨微电子”， 典型的器件如太阳能电池 和主动式矩阵（AM ：Active Matrix ）平板显示器。作为结晶硅的电子产品代表性的单晶半 导体技术，是不适合这样的应用的，而非晶或多晶的硅膜可以很容易地在低温下（如400 ℃） 2 的大面积玻璃和塑料基板上，来促进这些新的应用。由于多晶材料的晶粒边 形成在大于1m 界（晶界问题）上的缺陷对于载流子散射和捕获，氢化非晶硅（a-Si ：H ）比多晶硅（P-Si ） 在实际的大尺寸应用上更为广泛。然而，a-Si ：H 在未来应用中难以克服的障碍是低迁移率 （1cm2/ Vs ）和对于电老化与光照射的不稳定性。 在2004 年末，我们报道了一种具有组合物a-InGaZnO4 （a-IGZO ）的非晶氧化物半导体 （AOS ：Amorphous Oxide Semiconductors ）可以应用在柔性制造中，相比于基于a-Si ：H 和 有机材料的传统 TFT [1]，透明的薄膜晶体管（TFT ）已经大幅改善了性能。对于传统的半 导体，AOS 材料具有更出色的特性，因此朝着实现下一代平板显示器的TFT 背沟道的这一 目标，AOS TFT 技术发展的非常迅速。图1 中总结了从过去首份AOS 薄膜晶体管报告发表 的五年以来，由数家公司展示的各种各样的原型AM 显示器。在此，我们回顾了AOS 材料 的特点，这些特点关系到他们的TFT 特性，也讨论了为什么通过透明氧化物的特定电子结 构可以使得AOS 有如此诱人的电气性能。 图1 基于IGZO TFT 的最近的原型器件。（a ）2004 年，东京工业大学 [1] 。（b ）2009 年，2 英寸的400 ppi 的VGA ，凸版[6]。（C ）2008 年，4 英寸，100 ppi，凸版[Phys. Stat. Sol. 205, 1892 (2008)] 。（d ）2007 年，3.5 英寸176×220 QCIF ，LG[8] 。（e ）2008 年，12.1 英寸 1280×768 WXGA，三星[11]。（f ）2008 年，15 英寸1024×768 XGA，三星[13]。所有的图 像复制是被许可的。 有源矩阵显示器和基于AOS TFT 阵列的电路 第一个AOS-TFT 是在2004 年底报道的（见图 1）。仅仅一年后，凸版印刷紧接着发表 了第一个使用了a-IGZO TFT 的柔性的黑白电子纸，它是基于AOS 的AM 显示器[2]。又一 年后，凸版开发了全彩色电子纸，采用先进的“前驱动”的结构[3-5]，其中使用了透明的 a-IGZO TFT 的彩色滤光片阵列和TFT 阵列集成在前板上。目前的电子纸的技术可以做到纸 张尺寸5.35 英寸，分辨率为150 像素/英寸（ppi ）的柔性黑白电子纸；最高分辨率为400 ppi 的2 英寸的柔性黑白电子纸；全彩色电子纸为5.35 英寸，分辨率为QVGA