光纤通信 3.2光检测器.ppt

3.2光检测器 光电转换器件 要求: 高效率、低噪声、宽带 原理：光吸收 在半导体材料上，当入射光子能量h?超过带隙能量时，每当一个光子被半导体吸收就产生一个电子—空穴对。在外加电压建立的电场作用下，电子和空穴就在半导体中渡越并形成电流流动，称为光电流，其电流大小Ip与入射光功率Pin成比例： 目前常用的光检测器有:PIN光电二极管、雪崩二极管APD 3.2.1 PN光电二极管(1) 3.2.1 PN光电二极管(3) 3.2.2 PIN光电二极管(1) 在PN结间插入一层非掺杂或轻掺杂半导体材料，以增大耗尽区宽度w，达到减小扩散运动的影响，提高响应度的要求。由于PN结中间插入的半导体材料近似为本征半导体(Intrinsic)，因此这种结构称为PIN光电二极管。 3.2.2 PIN光电二极管(2) PIN-PD特性参数(1) 入射光功率Pin中含有大量光子，能转换为光电流的光子数和入射总光子数之比称为量子效率. 响应度ρ PIN-PD特性参数(2) 光谱响应 对一给定的探测区材料就有一个能够探测的最低频率或最大波长，而对波长大于这个极限波长的光波就不能被探测到。 光子能量hf大于半导体材料的禁带宽度Eg时，价带上的电子可以吸收光子而跃迁到导带，否则不论入射光多强，光电效应都不会发生。所以，任何一种材料制作的光电二极管都有上截止波长?C： PIN:1个光子最多产生一对电子-空穴对,无增益 APD:利用电离碰撞, 1个光子产生多对电子-空穴对,有增益 基本结构： * * ρ —光电检测器的响应度（A/W） 入射光 半导体 耗尽层外 光作用电子-空穴对 在扩散及E内作用产生扩散电流 工作原理：入射光从P侧进入，在耗尽区光吸收产生的电子－空穴对在内建电场作用下分别向左右两侧运动，产生光电流。 光生电动势 耗尽层内 光作用电子-空穴对 在E内作用产生漂移电流 + - 光生电流 P 区 耗 尽 区 N 区 内部电场 扩散 漂移 响应时间：由光功率输入转化为光电流输出，有一定时间迟后，其值主要决定于载流子通过耗尽区的渡越时间。 响应时间会限制带宽。 通过施加外部反方向偏压的方式提高Vs,减少渡越时间。 3.2.1 PN光电二极管(2) 带宽受限的主要因素:产生的光电流中存在扩散分量，它与耗尽区外的光吸收有关。载流子作扩散运动的时延将使检测器输出电流脉冲后沿的托尾加长，影响光电二极管的响应速度。 解决方法：减小P,N区厚度，增加耗尽区的宽度，使大部分入射光功率在耗尽区吸收，减少P,N区吸收的光能--PIN 考虑漂移和扩散运动时PN光电二极管对矩形脉冲的响应 扩散分量的存在导致光电二极管瞬态响应失真 I区高阻抗,电压基本都落在I区 PIN光电二极管及反偏时各层的场分布 InGaAs PIN 光电二极管的结构 双异质结结构： N区和P区：InP，对?920nm的光透明； I区: InGaAs； ?=1300~1600nm 强烈吸收 产生的电子－空穴对的个数 入射的光子数 在光电二极管的应用中，100个光子会产生30到95个电子－空穴对，因此检测器的量子效率范围为30%~95%。为了得到较高的量子效率，必须加大耗尽区的厚度，使得可以吸收大部分的光子。 图3-22 PIN光电二极管响应度 、 量子效应率 与波长 的关系 在短波长段，材料的吸收吸收系数变得很大，因此光子在接近光检测器的表面就被吸收了，电子－空穴对的寿命极短，结果载流子在由光检测器电路收集以前就已经复合了。 Si：?C=1.06?m，使用范围：0.5~1.0 ?m Ge： ?C=1.6?m，使用范围：1.1~1.6 ?m InGaAs： ?C=1.6?m，使用范围：1.1~1.6 ?m PIN-PD特性参数(3) 响应时间和频率特性 光电二极管对高速调制光信号的响应能力用脉冲响应时间τ或截止频率fc（带宽B）表示 PIN光电二极管响应时间或频率特性主要由光生载流子在耗尽层的渡越时间τd和包括光电二极管在内的检测电路RC常数所确定 PIN-PD特性参数(4) 由渡越时间τd限制的截止角频率: 由电路RC时间常数限制的截止角频率 减小耗尽层的宽度ω,可以减小渡越时间 ,从而提高截止角频率fc,但是同时降低了量子效率η。所以必须在响应速度和量子效率之间采取折衷。 W:耗尽层宽度 Vs:渡越速度 Rt:串联电阻和负载电阻的总和 Cd:结电容Cj和管壳分布电容的总和 PIN-PD特性参数(5) 图3.23 内量子效率和带宽的关系 噪声直接影响光接收机的灵敏度。 散粒噪声（信号电流和暗电流产生） 暗电流是器件在反偏压0.9UB条件下，没有入射光时产生的反向电流 热噪声（由负载电阻和后级放大器输入电阻产生） 噪