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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.7 电路如图所示，晶体管的?＝80， =100Ω。分别计算RL＝∞和RL＝3kΩ时的Q点、 、Ri 和Ro。 解：在空载和带负载情况下， 空载时: * 带负载：RL＝5kΩ时，静态管压降、电压放大倍数分别为 * 2.9 已知图所示电路中晶体管的? ＝100，rbe=1kΩ。 （1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；  （2）若测得 和 则负载电阻RL为多少千欧？ 的有效值分别为1mV和100mV， 解：（1）求解Rb （2）求解RL： * 2.10　在图2.9所示电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压 降UCES＝0.6V。试问：当负载电阻RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的最大 不失真输出电压各为多少伏？ 解：由于ICQ＝2mA，所以UCEQ＝VCC－ICQRc＝6V。 空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。 VCC－ UCEQ ＝12-6=6V UCEQ － UCES ＝6-0.6=5.4V 时，当输入信号增大到一定幅值，出现截止失真。 带载 VCC ’ － UCEQ ＝ ICQRL’=3V UCEQ － UCES ＝6-0.6=5.4V 电路中存在电容时，空载与带载时的静态工作点不变。 * 2.13 电路如图所示，晶体管的?＝100， =100Ω。 （1）求电路的Q点、 、Ri和Ro；  （2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ 解：（1）静态分析： * 动态分析： （2） * 2.12 电路如图所示，晶体管的?＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点；  （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的 和Ri； （3）求出Ro。 解：（1）求解Q点： * （2）求解输入电阻和电压放大倍数： RL＝∞时 RL＝3kΩ时 （3）求解输出电阻： * 2.13 电路如图所示，晶体管的?＝60， =100Ω。 （1）求解Q点、 、Ri和Ro；  （2）设 ＝10mV（有效值），问 ＝？ ＝？若C3开路，则 ＝？ ＝？ 解： * （2）设 ＝10mV（有效值），则 若C3开路，则 * 1.21 已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的 电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。 试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型）， 并说明 ①、②、③与G、S、D的对应关系。 解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管， 三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如图所示。  解图P1.21 * 1.24 分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能 * 2.14 改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大 正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。 * 2.15 已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性 分别如图（b）(c)所示。（1）利用图解法求解Q点；  （2）利用等效电路法求解 、Ri和Ro 。 解：（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS， 与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值， 得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。 在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS） 与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点 UDSQ≈3V。 * （2）首先画出交流等效电路（图略）， 然后进行动态分析。 * 2.16 已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。 求解电路的Q点和 解：（1）求Q点： 根据电路图可知， UGSQ＝VGG＝3V。 从转移特性查得，当UGSQ＝3V时的漏极电流 IDQ＝1mA 因此管压降 UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V。 （2）求电压放大