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第8章 图像信息的光电变换 8.1.2 图像传感器的分类 8.2 光电成像原理与电视制式 8.2.1 光电成像原理 1. 摄像机的基本原理 2. 图像的分割与扫描 8.2.2 电视制式 1. PAL彩色电视制式 2. 扫描方式 8.4 电荷耦合器件 8.4.1 线阵CCD图像传感器 1. 电荷存储 2. 电荷耦合 3. CCD的电极结构 (1).三相单层铝电极结构 4. 电荷的注入和检测 (1) 光注入 (3) 电荷的检测(输出方式) 5. CCD的特性参数 (2) 驱动频率 ①　驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为τi 则 ②　驱动频率的上限 电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为τg 则 6. 线型CCD摄像器件的两种基本形式 (1) 单沟道线阵CCD (2) 双沟道线阵CCD 8.4.2 面阵CCD图像传感器 (3) 线转移型面阵CCD 8.5 CMOS图像传感器 8.5.1 CMOS成像器件的结构原理 2. CMOS成像器件的像敏单元结构 8.5.2 典型CMOS图像传感器 (1) 成像器件的原理结构 (2) 输出放大器 (3) A/D转换器 8.6 热成像器件 1. 点扫描式热释电热像仪 2. 热释电摄像管的基本结构 3. 典型热像仪 (1) IR220红外热像仪 (2) IR210高清晰度夜间红外监视探测仪 CMOS是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等集成在一块硅片上的图像传感器件，这种器件的结构简单、处理功能多、成品率高和价格低廉，有着广泛的应用前景。 CMOS图像传感器虽然比CCD出现还早一年，但在相当长的时间内，由于它存在成像质量差、像敏单元尺寸小、填充率(有效像元与总面积之比)低，响应速度慢等缺点，因此只能用于图像质量要求较低、尺寸较小的数码相机中，如机器人视觉应用的场合。 1989年以后，出现了“主动像元”（有源）结构。它不仅有光敏元件和像元寻址开关，而且还有信号放大和处理等电路，提高了光电灵敏度，减小了噪声，扩大了动态范围，使它的一些性能参数与CCD图像传感器相接近，而在功能、功耗、尺寸和价格等方面要优于CCD图像传感器，所以应用越来越广泛。 1. CMOS成像器件的组成 CMOS成像器件的组成原理框图如图8-31所示，它的主要组成部分是像敏单元阵列和 MOS 场效应管集成电路，而且这两部分是集成在同一硅片上的。像敏单元阵列实际上是光电二极管阵列，它也有线阵和面阵之分. 图像信号的输出过程可由(如图8-32所示)图像传感器阵列原理图更清楚地说明。 这种器件的像敏单元结构有两种类型，即被动像敏单元结构和主动像敏单元结构。前者只包含光电二极管和地址选通开关两部分，如图8-33所示。其中像敏单元的图像信号的读出时序如图8-34所示。 主动式像敏单元结构的基本电路如图8-35所示。从图可以看出，场效应管V1构成光电二极管的负载，它的栅极接在复位信号线上，当复位脉冲出现时，V1导通，光电二极管被瞬时复位；而当复位脉冲消失后，V1截止，光电二极管开始积分光信号。 图8-36所示为上述过程的时序图，其中，复位脉冲首先来到，V1导通，光电二极管复位；复位脉冲消失后，光电二极管进行积分；积分结束后，V3管导通，信号输出。 SXGA型CMOS成像器件是CMOS图像传感器的主要部分，其原理结构如图8-37所示。 SXGA型CMOS成像器件像敏区的结构如图8-38所示。 该器件的像敏单元总数是1 286×1 030个，属于主动像敏单元结构，每个像敏单元都带有3个场效应管放大器。 在光敏阵列的上部贴附R，G，B色滤光片便成为彩色CMOS图像传感器件。若无需彩色成像，也可以不要这种滤光片。 SXGA型CMOS成像器件的光谱特性如图8-39所示。 增益可调的放大器可按指数规律控制，控制增益的信号为4位编码信号，即可选择的增益有8种，增益在5.33~17.53之间可调。 图8-41所示为SXGA型CMOS成像器件输出放大器电路原理框图，它主要由三部分组成。 A/D转换器的输出/输入间的关系曲线如图8-47所示。 利用物体发出的红外热辐射形成的可见图像的方法称为热成像技术。热成像的方法有很多，例如