ARM9学习——s3c2440存储控制器NandFlash和NorFlash都是.PDFVIP

ARM9 学习——s3c2440 存储控制器 NandFlash和 NorFlash 都是 Flash的一种，都是散存，都是磁盘存储介子，但是 Nand Flash 一般比较大，而 NorFlash 都比较小，并且 NorFlash 比较贵，并且 NorFlash 写的速 度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash 读的速度比较慢，写的速度比较快。 NOR Flash 是总线型设备，可在芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，应用程序可以 直接在 FIash 闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中；而 NAND Flash 则需I／O接口， 因此使用时需要写入驱动程序 SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器， 同步是指 Memory 工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态 是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自 由指定地址进行数据读写。 1.S3C2440 存储控制器特性 ? （1） S3C2440A 的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号 ? 27 位地址信号、32位数据信号、8 个片选信号、以及读/写控制信号等 ? （2） 总共有 8 个存储器 bank（bank0—bank7） （3） bank0bank5 为固定 128MB bank6 和bank7 的容量可编程改变，可以是 2、4、8、16、32、64、128MB 最大共 1GB (4) bank0 可以作为引导 ROM。其数据线宽只能是 16位和 32 位，其它存储器 的数据线宽可以是 8 位、16 位和 32位 (5) 7 个固定存储器 bank(bank0-bank6)起始地址。bank7 的开始地址与 bank6 的 结束地址相连接，但是二者的容量必须相等 （6） 所有存储器 bank的访问周期都是可编程的 （7） 支持SDRAM 的自刷新和掉电模式 （8） 支持大小端（软件选择） 注：8 个128M 的bank，一共只有 1G（地址空间），剩余 3G，有一部分是寄存器的地 址，还有一部分没有被使用，系统上电后从 bank0 执行 bootloader 程序。 S3C2440的8个bank 在系统上电后必须进行相应的初始化（n多寄存器的配置， S3c2440 片内有 NandFlash,SDRAM,NorFlash 等配置寄存器），2440 不然就不能工作。 S3C2440 的每个 bank 都可以用来总线型设备，这些设备共用系统的总线。这些设备的 片选端，都应该接到相应 bank 的片选信号上，因此所有总线型设备的地址线也是共用的。 比如 bank0接的就是 norflash（bank0 可以作为引导 ROM）, Bank6 接SDRAM。NandFlash 不是总线型设备，所以 NandFlash 没有接在 bank上，而是单独和 S3C2440 连接。系统如果 从 NandFlash 启动的话，NandFlash 里面必须烧有 bootloader 程序，NorFlash 同理。 SDRAM 原理分析 ： 型号：K4S561632（两片共 64M） 大小： 4M*16bit*4banks*2= 512 bit = 64M 字节 数据宽度：32 bit 连接在BANK6 上，片选信号 nGCS6 地址范围：0x3000_0000—0x33FF_FFFF SDRAM 存储原理： SDRAM 的内部是一个存储阵列，阵列中的每个单元格就是一个存储单元。 有四个逻辑 BANK（L-BANK） 由 BA1、BA0 选择