CoSi2超薄外延膜的生长研究3.PDFVIP

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2018-06-06 发布于天津
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CoSi2超薄外延膜的生长研究3

　第 19 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 3　 V o l N o 　1998 年 3 月　　　　　　　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 2 超薄外延膜的生长研究 CoSi 1 姚振钰　张国炳　秦复光　刘志凯　张建辉　林兰英 ( 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室　北京　100083) ( 1 北京大学微电子研究所　北京　100871) 摘要　用质量分离的离子束外延( 或简作 ) 法在 ( 111) 上生长了超 M AL E IBE IBE n Si CoSi 2 薄外延膜. 厚度为 10～ 20 的薄膜的结构特性已由、及作了研究. nm CoSi2 A ES RH EED RBS 实验结果表明Co 的淀积率对CoSi 单晶生长来说是一个关键因素. 2 : 6180 , 6855, 7360 PACC J F 1　导言在 Si 衬底上外延生长的金属 Si 化物中, CoSi2 是一种十分吸引人的电子材料, 因为它与的晶格失配度较小, ( 室温下为～ 12% ) [ 1 ] , 电阻率很低, ( 室温下为～ 15 · ) [ 2 ] , Si cm 热稳定性很好, (在 1050 ℃以下电学性质稳定) [ 3 ] , 而且 2 中的电子平均自由路程较 CoSi 长, (室温下为～ 20 ) [ 4 ] , 所以 2 很早就被认为是作高速器件、包括金属基极晶体管 nm CoSi ( , ) 及渗透基极晶体管( , ) 的 M etal based T ran sisto rs M BT Perm eab le based T ran sisto rs PBT [ 5 ] 合适材料 .