GaN基pin型紫外探测器光生载流子屏蔽效应模型-西安电子科技大学.PDFVIP

071 中国科学: 物理学 力学 天文学 2010 年 第40 卷 第8 期: 966 ~ 974 SCIENTIA SINICA Phys, Mech Astron SCIENCE CHINA PRESS GaN 基p-i-n 型紫外探测器光生载流子屏蔽 效应模型 * 高博, 刘红侠, 匡潜玮, 周文, 曹磊 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071 * E-mail: bobbygoff@ 收稿日期: 2009-10-21; 接受日期: 2010-02-05 国家自然科学基金(批准号: 、教育部科技创新工程重大项目培育资金(编号: 708083)、教育部新世纪优秀人才计划(编号: NCET-05-0851)和教育部博士点基金(编号: 200807010010)资助项目 摘要 通过求解光生载流子连续性方程, 得出GaN 基p-i-n 型紫外探测器耗尽层中的光生载流子密度分布. 根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场, 并通过数值计算方法将光生载流子屏蔽电场引入器件模型, 建立 了光生载流子屏蔽效应模型. 在此基础上, 讨论了光生载流子屏蔽效应对p-i-n 型探测器耗尽区光生载流子密 度分布的影响, 并分析了外加偏压、入射光功率以及载流子寿命对光生载流子屏蔽效应模型的影响. 结果表 明光生载流子屏蔽效应对器件性能的影响是非单调的, 且通过调节外置偏压可以得到最大载流子漂移速度和 最小器件响应时间. 关键词 GaN, p-i-n, 紫外探测器, 光生载流子屏蔽效应 PACS: 78.66.Fd, 85.60.Bt, 85.60.Gz 作为第三代半导体的典型代表, GaN 具有禁带宽 理机制对器件性能的影响研究得很少. 文献[9] 曾对 度大、电子饱和速度高、介电常数小等优点, 已经被 p-GaN 层厚度对GaN 基p-i-n 型紫外探测器性能的影 广泛应用于功率、微波和光电器件制作等领域. 由于 响进行了研究, 说明探测器自身的一些物理机制对 其三元合金AlGaN 随着Al 组分地变化, 禁带宽度也 器件性能也能产生一定的影响, 也就是说通过优化 在3.4~6.2 eV 之间变化, 对应于200~365 nm 的波长 器件工作条件可以优化器件性能. 作为光伏器件, 探 范围. 因此, GaN 基紫外探测器是天然的可以在复杂 测器内部光生载流子屏蔽效应对器件性能有很大影 环境下使用的日盲紫外探测器, 被广泛应用于目标 响, 但到目前为止, 还没有深入研究 GaN 基p-i-n 型 探测及跟踪、空间紫外通信和臭氧层监测等领域. 由 紫外探测器光生载流子屏蔽效应的论文. 于具有低暗电流和强光谱响应等优良特性, GaN 基 本文通过求解光生载流子连续性方程, 得出 GaN p-i-n 型[1,2] [3,4] 基 p-i-n 型紫外探测器耗尽区光生载流子密度分布. 和MSM 型 紫外探测器逐渐成为目前研 究的热点, 但研究重点主要集中在通过器件制作工 根据泊松方程计算了光生载流子屏蔽电场, 并通过 艺的优化和改进来降低探测器暗电流[5,6]及增强探测 数值计算方法将光生载流子屏蔽效应引入器件模型, 器光谱响应[7,8]等领域, 而对 GaN 紫外探测器自身物 建立了GaN 基p-i-n 型紫外探测器光生载流子屏蔽效 引用格式: 高博, 刘红侠, 匡潜玮, 等. GaN 基p-i