KDP晶体的杂质与光学性能分析-强激光与粒子束.PDFVIP

　第 13 卷　第 4 期 强 激 光 与 粒 子 束 . 13, . 4　 V o l N o 　2001 年 7 月 . , 2001　 H IGH POW ER LA SER AND PA R T ICL E BEAM S Ju l 文章编号: (2001) ① KD P 晶体的杂质与光学性能分析 庄欣欣, 　谭奇光, 　林　翔, 　苏根博, 　李征东 ( 中国科学院 福建物质结构研究所, 福建 福州 350002) 　　摘　要: 　测量常规方法与快速方法生长的非线性光学 KD P 晶体紫外及近红外波段透射光谱性 能, 并测定了晶体不同生长区域杂质的含量, 通过对实验结果的分析比较讨论了影响晶体紫外透过性能 的因素; 采用多脉冲平均方式测量了不同方法生长的晶体在 1 064nm 及 532nm 皮秒激光脉冲作用下的 晶体损伤阈值, 晶体的体吸收系数与晶体抗损伤能力的对应关系表明晶体内部的杂质与缺陷存在着明 显的光吸收, 从而降低了晶体对高能量脉冲的负载能力。 　　关键词: 　KD P 晶体; 　紫外光谱; 　杂质分析; 　损伤阈值; 　吸收系数 　　中图分类号: 　 734　　　　文献标识码: 　 O A 　　在惯性约束核聚变 ( ICF ) 装置中, 大口径 KD P 晶体仍是当今首选的光学变频材料, 优良质量、大尺 寸KD P 晶体的快速生长一直是项倍受重视的研究课题[ 1～ 5 ] 。人们关注的重点在于研究晶体的生长机制 以及控制生长速度的手段。不同生长方式下的晶体间存在着质量和形态上的差异, 而影响因素是多方面 的, 与生长溶液的状态密切相关, 如溶液的过饱和度、晶体生长速度、溶液 PH 值大小、生长所处的温区 范围、晶体固液界面上溶质的流动速度以及溶液的纯度等。大口径 KD P 晶体生长目前主要是利用温降 法( ) ( ) 实现的, 我们采用这种方法对常规生长与快速生长 生长速度 10 晶体的杂质含量与透 TRM mm d 过光谱性能以及晶体的损伤阈值进行了分析。在研究过程中发现, 尽管不同方式及条件下生长晶体的外 观形态基本相似, 但是其微量元素的含量不尽相同, 不同生长条件下生长的晶体透过光谱范围区别很 大。由于激光核聚变系统中对晶体材料性能有特殊的要求, 对 KD P 晶体进行光谱分析及损伤阈值测 量, 可以为晶体生长控制及质量提高提供依据。 1　实验 1. 1　晶体的生长条件 　　我们选取常规生长样品 , 快速生长样品 , 以及美国 国家实验( ) 提供的样品 A B C L iverm o re LLNL D 作为比较。其中样品A ,B , C 的生长参数见表 1。