mGreen芯片模组使用说明书1简介2mGreen芯片模组介绍3基于.PDFVIP

mGreen mGreen mmGGrreeeenn芯片模组使用说明书 C2CLink C2CLink CC22CCLLiinnkk 公司 Jan.02,2012 Jan.02,2012 JJaann..0022, 1. 1. 11.. 简介 mGreen芯片模组是用来产生532-nm绿光的单一组件。采用808-nm半导体激 光器（LD）直接泵浦mGreen 芯片模组的简单结构，即可轻松获得500-1000mW 的绿光输出。 2. mGreen 2. mGreen 22.. mmGGrreeeenn芯片模组介绍 如图1 所示，mGreen 芯片模组由4 个部件组成：硅基片，掺杂浓度为1%的 Nd:YVO 晶体，掺杂浓度为5mol%的MgO:PPLN晶体和铜盖。Nd:YVO 晶体和 4 4 MgO:PPLN 晶体经高精度准直固定在硅基片上，因此两个晶体的通光面严格平 行。Nd:YVO 晶体和MgO:PPLN晶体的光轴准直于竖直方向。Nd:YVO 晶体的 4 4 入射面镀膜为HT@808nm，HR@1064nm532nm。MgO:PPLN晶体的出射面 镀膜为HR@1064 nm，HT@532 nm。mGreen 芯片模组的尺寸为7(长)×4.5(宽)× 3 3 2(厚)mm (即体积为0.063cm )。 MgO:PPLN 晶体 铜盖 硅基片 Nd:YVO 晶体 4 图1.mGreen芯片模组的3D视图 mGreen mGreen 3. 基于mmGGrreeeenn芯片模组的绿光激光器结构 采用mGreen 芯片模组制作激光器（laser head），最基本的配置需求是一个 作为泵浦源的808-nm半导体激光器（c-mount或者F-mount），一个mGreen芯片 模组和相关配件（如半导体制冷片，热敏电阻和金属结构件等）。图2 给出了基 于mGreen 芯片模组，808-nm 半导体激光器（c-mount）作为泵浦源的绿光激光 器3D视图。值得注意的是， 1. 为了获得mGreen芯片模组的最佳性能，对于偏振态为TE的808-nm半导体 激光器需要旋转90度； 2. mGreen 芯片模组的硅基片需要和热沉或半导体制冷片接触良好，以确保满 足激光器工作要求的散热条件； 3. mGreen芯片模组同808-nm半导体激光器之间的距离约为1mm； 4. 无需聚焦镜和输出耦合镜； 5. 为保证较好的光束质量和功率转换效率，最好采用带快轴整形的808-nm 半 导体激光器作为泵浦源，其光束在水平和竖直两个方向的发散角约为7度， 光斑为方形。如果采用更复杂的聚焦耦合系统，用以对泵浦光斑进行更进一 步的整形和聚焦，那么，基于mGreen 芯片模组绿光激光器的光束质量，功 率转换效率等性能指标将会有更大提高。 mGreen芯片模组 808-nm半导体激光器 c-moun