[理学]第5章只读存储器与可编程.ppt

第５章　只读存储器与可编程逻辑器件 本章主要介绍只读存储器和可编程逻辑器件。内容有只读存储器（ROM）的功能、结构与应用，可编程逻辑器件（PLD）中介绍几种可编程器件的结构特点、工作原理和使用方法。 5.1 只读存储器（ROM） 只读存储器（ROM，Read Only Memory）因工作时其内容只能读出而得名，信息一旦写入就不能或不易再修改。 按照数据写入方式特点不同共四种: 掩膜ROM（MROM） 可编程ROM（PROM） 可擦除可编程ROM（EPROM） 电可擦除可编程ROM（E2PROM） 5.1.1 ROM的结构 图5－1 ROM内部结构示意图 5.1.2 ROM的工作原理 图5－2给出一个示意性的4×4 ROM的电路结构和它的简化框图。 图中A0、A1为地址输入线 D0～D3为一个字单元的四根位线 译码器输出为字线W0～W3。 图5－2 4×4 ROM电路结构和框图 4×4ROM真值表 图5－3 图5－2所示ROM电路的简化图 5.1.3 ROM制造技术简介 ROM存储“1”或“0”信息是靠字线、位线交叉点有无跨接二极管来实现 当有二极管跨接时，表示此交叉点存“1”，无表示存“0”。 特点：掩膜ROM材料成本低廉，但掩膜制作成本较高，适用于大批量成熟产品的定制生产。 PROM通过在晶体管的发射极与列选通线之间用熔丝进行连接，从而可实现用户编程写入信息。在未编程的情况下，各存储单元的内容都是1；用户使用专门设备，通过专用软件对交叉点编“1”或“0”，所有交叉点确定“1”或“0”后，进行烧制，即该交叉点存“1”则熔丝保留，若该交叉点存“0”则烧断此点的熔丝（对此点加高电压），表示存“0”。因此称为可编程ROM。由于熔丝烧断后不可恢复，所以PROM只能被用户编程一次，以后不能再修改。熔丝交叉点如图5－4所示。 图5－4 熔丝型PROM单元 EPROM的基本耦合单元采用浮栅雪崩注入MOS管，也称FAMOS管。 FAMOS管的栅极完全被二氧化硅绝缘层包围，因无导线外引呈悬浮状态，故称为“浮栅”。 图5－5为由N沟道FAMOS管构成的EPROM基本耦合单元。EPROM出厂时，所有FAMOS管的浮栅不带电荷，FAMOS管不导通，位线呈现“1”状态；若FAMOS管漏极D接高于正常工作电压的电压（+25V），则漏一源极间瞬间产生“雪崩”击穿，浮栅累聚正电荷，使FAMOS管导通，位线呈现“0”状态。待高电压撤消后，由于浮栅中的电荷无处泄漏，所存信息也不会丢失。 图5－5 FAMOS基本耦合单元 E2PROM（或EEPROM） 在E2PROM存储单元中采用一种浮栅隧道氧化层MOS管，简称FLotox管，结构如图5－6所示。 图5－6 E2PROM存储单元 总结: 快闪存储器（Flash Memory），是当今用途广泛的只读存储器。 它是在EPROM和E2PROM的制造技术基础上发展起来的一种新型的电可擦除可编程存储器元件。 它的存储单元结构与E2PROM类似，主要差别是栅极氧化层厚度不同。 快闪存储单元的氧化层较薄，使其具有更好的电可擦性能。 快闪存储器的擦除、重写的速度比E2PROM快，初期的快闪存储器只能进行全片的擦除，不能擦除一个字节。 新型快闪存储器则可以擦除一块数据，因而更适于存储文件方面的应用。 5.1.4 只读存储器（ROM）的应用 从另外一个角度重看ROM的构成，以便把ROM应用在组合逻辑电路设计中。ROM中地址译码器的每一根字线输出，实际上就是对应地址编码的一个最小项，地址（A0～An）被看成输入变量，而每一位位线输出则相当于地址输入变量组成的最小项之和。因为任何组合逻辑电路都可以表示为最小式之和的形式，所以函数式可用ROM来实现，取代组合逻辑电路。 拿前面4×4 ROM来说，它的电路图和真值表可以列出各位位线输出与地址输入间的逻辑关系：