动态存储器DynamicRAMDynamicrandomaccessmemoryDRAM.PDFVIP

2. 动态存储器 Dynamic RAM Dynamic random access memory (DRAM) is a type of random access memory that stores each bit of data in a separate capacitor within an integrated circuit. Since real capacitors leak charge, the information eventually fades unless the capacitor charge is refreshed periodically. Because of this refresh requirement, it is a dynamic memory as opposed to SRAM and other static memory. The advantage of DRAM is its structural simplicity: only one transistor and a capacitor are required per bit, compared to six transistors in SRAM. This allows DRAM to reach very high density. Dynamic random access memory is produced as integrated circuits (ICs) bonded and mounted into plastic packages with metal pins for connection to control signals and buses. 1 （1）动态存储器芯片 DRAM芯片的集成度高，容量大，速度不高（50~100ns ）， 功耗低，价格低。 为了进一步降低芯片的封装成本，还设法减少芯片的引脚数。 采用地址线复用和多字1位等方法。将地址分两次送入存储器 芯片，内部有行地址锁存和列地址锁存电路。 行 行 A1 地 地 址 址 A0 锁 译 存 码 RAS 列地址译码 CAS 列地址锁存 2 RAS 的下降沿把行地址送入存储芯片内的行地址锁存器，CAS 的下降沿把列地址送入存储芯片内的列地址锁存器。 RAS CAS 行地址 列地址 AB DRAM芯片的工作方式有：读工作方式，写工作方式，读-改 写工作方式，页面工作方式，刷新工作方式。 其中，页面工作方式是在行地址锁存后保持RAS 0 。不断变化列 地址和 ，就可以在行地址不变的情况下对某一行的所有单元 CAS 连续地进行读/写。页面工作方式使得存储器有批写入和批读出能 力，提高了存储器的速度。 DRAM芯片： 常见：×1, ×8 A ……A RAS CAS 0 7 64k ×1 DRAM I/O R / W 动态存储器的存储控制比较复杂，需要由外部电路提供行地 址和列地址，以及控制刷新。 DRAM packaging