半导体Si单晶方籽晶定向切割工艺-csiadd.PDFVIP

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０３８ 半导体单晶方籽晶定向切割工艺 Ｓｉ 刘京生 （陕西华山半导体材料有限责任公司西安， ） ７１００６５ 摘要：在拉制半导体级单晶生产中，必须用晶向偏离度准确的籽晶来引拉晶体，方能获 Ｓｉ 得所要求的单晶棒。简述了以｛ ｝，｛ ｝为基准面，定向切割〈 〉，〈 〉晶向籽晶的工 １１０ １１２ １１１ １００ 。 （ ） （ ） 艺该工艺克服了原工艺以 或 为基准面切割籽晶存在的晶向偏离度不能人为控制 １１１ １００ 的主要问题从而可获得晶向偏差小于 的籽晶 ， ０５° 。 关键词：晶向；基准面；棱线 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）增刊 ＴＮ６０４ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０１３５０３ Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ Ｃｕｔｔｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ Ｓｉｎｇｌｅ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｓｉ Ｓｅｅｄｓ Ｌｉｕ Ｊｉｎｇｓｈｅｎｇ （ ， ， ， ） Ｓｈａｎｘｉ Ｈｕａｓｈａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｃｏ Ｌｔｄ Ｘｉａｎ ７１００６５ Ｃｈｉｎａ ： Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｈｅ Ｓｉ ｓｅｅｄｓ ｗｉｔｈ ｔｈｅ ｅｘａｃｔ ｏｆｆｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｍｕｓｔ ｂｅ ｕｓｅｄ ｔｏ ｄｒａｗ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ｉｎ ｏｒｄｅｒ ｔｏ ａｃｈｉｅｖｅ ｔｈｅ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｔｉｃｋｓ ｄｕｒｉｎｇ ｔｈｅ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｉ ｃｒｙｓｔａｌ． Ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｃｕｔｔｉｎｇ 〈 〉，〈 〉 ｛ ｝，｛ ｝ １１１ １００ Ｓｉ ｓｅｅｄｓ ｗｉｔｈ １１０ １１２ ａｓ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｓｕｒｆａｃｅｓ ｗａｓ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ． Ｔｈｅ ｍａｉｎ ｐｒｏｂｌｅｍ ｏｆ ｔｈｅ ， （ ） （ ） ｃｒｙｓｔａｌ ｏｆｆｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｗｈｉｃｈ ｃａｎｎｏｔ ｂｅｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄａｒｔｉｆｉｃｉａｌｌｙ ｉｎｔｈｅｏｒｉｇｉｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈ １１１ ｏｒ １００ ａｓ ， ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｗａｓ ｓｏｌｖｅｄ ｂｙ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ． Ｔｈｕｓｔｈｅ ｓｅｅｄ ｗｉｔｈ ｏｆｆｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｌｅｓｓｔｈａｎ０５°ｗａｓａｃｈｉｅｖｅｄ． ： ； ； Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ ｓｕｒｆａｃｅ ｒｉｄｇｅ ： ＥＥＡＣＣ ０５６０ 存在着晶向偏差不易控制，偏差大，切割成品率低 ０ 引言