半导体器件原理5.pptVIP

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  • 2018-02-26 发布于河南
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半导体器件原理5

Heterojunction Semiconductor material is homogeneous throughout the entire structure:homojunction Two different semiconductor materials are used to form a junction: heterojunction(p-n Ge-Si, p-n Ge-GaAs) 禁带宽度较小的半导体材料写在前面 Anisotype:nP or Np(Capital letter:larger-bandgap material) Isotype:nN or pP 功函数是随杂质浓度的不同而变化的 Heterojunction 暂不考虑界面态 Next: n-Si/p-Si1-xGex energy band diagram? Strained: Eg(x)=1.12-0.74x ?Eg=ax 通过X-ray衍射摇摆曲线的测量可以获得薄膜厚度、Ge组份、应变驰豫状况以及晶体质量等信息,如图是一个实验样品(45nm SiGe、Ge组份25%、50nm Si盖帽层)的摇摆曲线测量结果。 Heterojunction 计算接触电势差Vbi: 设杂质都是均匀分布

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