LDMOS的可靠性研究演示课件文.pptVIP

LDMOS的可靠性研究;研究内容1、高可靠性P_LDM;高可靠性P_LDMOS研究;P-LDMOS的纵向剖视图;1、 沟道下的电场分析（1）关;关闭态下，界面处存在两个电场峰;（2）开启态开启态Si-SiO;开启态下，整个表面电场由两个U;LDMOS的漂移区与沟道交界处;2、沟道下电场峰值改进方法（1;无标题;无标题;无标题;（3）栅场板长度的影响沟道下电;随着场板的变短,第一个峰值大小;利用场板变短来降低沟道峰值电场;3、提高可靠性设计原则(1)保;LDMOS的可靠性和温度特性研;针对LDMOS的可靠性问题,首;1、LDMOS 击穿电压分析半;1.1有场极板的LDMOS的击;在场极板有限的情况下，漏极的高;1.2、有限场极板的情况场极板;由于LDMOS场极板是有限极板;式中Ec取最大的击穿场强，整理;通过模拟发现,LDMOS承受漏;利用nLDMOS和pLDMOS;降低电路功耗的一个有效方法是将;3、LDMOS 安全工作区（S;3.1、LDMOS的短期SOA;（1）Kirk效应当电流密度超;（2）寄生三极管效应LDMOS;（3）自加热效应高压功率LDM;3.2、LDMOS的长期SOA;温度的变化对LDMOS中载流子;1、阈值电压温度系数的研究阈值;通过分析高压LDMOS阈值电压;2、迁移率的温度特性硅器件的迁;3、饱和电流的温度特性LDMO;通过分析可以得到如下两点结论：;4、泄漏电流的温度特性（扩散电;（1）泄漏电流的组成反向泄漏电;（2）计算和模拟之后得到结论如;5、导通电阻的温度特性导通电阻;温度较低时，泄漏电流为0，则 ;6、击穿电压的温度特性开态击穿;基于LDMOS 热载流子效应的;一、LDMOS的热载流子效应L;1、强电场效应热载流子：当沟道;在强场区，由于高能量电子的较其;在强场区，由于高能量电子的较其;衬底电流是由强场区中的碰撞电离;2、LDMOS 的热载流子效应;2.1、LDMOS 的热载流子;图中的鸟嘴区和场板下方的漂移区;场板下方的鸟嘴区域是电流密集的;2.2、杂质分布的影响（1）沟;2.3、漂移区结构的影响热载流;（1）漂移区结深;通过实验，改变漂移区结深，器件;（2）漂移区长度;随着漂移区长度的增加,器件的碰;2.4、场板结构的影响;适当增加场板长度，碰撞电离集中;在场极板下靠近沟道的漂移区内的;二、LDMOS的可靠性分析器件;1、热载流子效应器件的热载流子;2、寄生BJT效应LDMOS在;3、Kirk效应当LDMOS处;4、自加热效??LDMOS工作时;Reliability stu;1、TST和TCTTST：温度;TST的循环(转换率37.5摄;TCT的循环（转换率0.5摄氏;2、TST和TCT对导通电阻和;试验结果分析不同温度下，TST;有无直流偏置，TCT对导通电阻;试验结果分析没有直流偏置的情况;TST和TCT导致导通电阻增大;高低温TST对反馈电容的影响;试验结果分析如上图所示，漏源电;TCT和TST对反馈电容的影响;试验结果分析上图给出了不同加速;3、退化机制分析实验所观察到的;通过电子浓度分布图发现，电子浓