太阳电池发电技术应用发展-光电科技工业协进会.PDF

第 三章 太 陽電池發 電技術應 用發展 3-1 第三章 太陽電池發電技術應用發展 由於日本及歐美國家掌握半導體、真空薄膜、光學及雷射 等基礎技術，以及新材料設計開發與奈米合成與製造等前瞻技 術，向來在太陽電池產業技術居於領先地位，日本今後在技術 方面仍需改善變換效率、讓矽晶更加薄膜化，甚至是開發染料 敏化型等新材質，以利減少成本，歐美則著重在新材料與製程 的開發。近來新技術的開發逐漸進入商品化階段並吸引更多新 廠商加入，以下將就太陽電池技術發展、PV 系統關鍵元件技術 性能調查與評價、系統整合技術、元件性能與品質檢測技術、 太陽電池應用商品技術發展概要介紹領先廠商於太陽電池發電 技術及應用發展。 3-1 太陽電池技術發展 以下針對矽晶圓型、薄膜型等太陽電池模組，以及關鍵製 造技術的發展做介紹與分析。 3-1-1 主流矽晶圓型太陽電池關鍵製造技術發展 以 高 純 度 多 晶 矽 製 造 為 主 的 Tokuyama 及 三 菱 Material （Mitsubishi Material ）擴大西門子法製造多晶矽的生產能力， 以滿足市場需求，不過仍以半導體用途為優先，太陽電池用增 加 950 噸。此外，三菱 Material 子公司三菱 Material PolySilicon 公司，JEMCO 擴大柱狀晶矽（ Columnar Crystal Silicon ）產能， 預定 2010 年度將屬於多晶矽一種的「柱狀晶矽」產能提高到 2006 年度的 2 倍，除因應太陽電池需求外，也看準隨半導體矽 晶圓大孔徑化而朝大型趨勢邁進的半導體製造裝置用零組件需 求，投資設備額超過 10 億日圓。多晶矽需求不只 12 吋晶圓用 途急增，太陽電池用途更面臨缺貨，而柱狀晶矽雖然製造成本 高於多晶矽，但性能面獲得的評價較高，在供需吃緊的背景下， 研判應可吸收價差，預定 2008 年 4 月較 2006 年度增產約 50% ， 往後視需求動向依序增產。 PIDA Photonics Industry Technology Development Association 第 三章 太 陽電池發 電技術應 用發展 3-2 太陽電池用多晶矽晶圓與原料多晶矽 材料製造技術的發展動態 新加入的低成本製造多晶矽的技術開發公司具體的發展， 有 2007 年 1 月底成立的 Solar Silicon 公司，採鋅還原法「 CSS 技術」製造太陽電池用多晶矽，由氯 化、還原及電氣分解 3 段 製程所構成，特徵為針對還原製程的副產物進行電氣分解，藉 此再次當作原料來使用，雖仍處於驗證階段，但達成 99.9999% 的高純度。該公司日前製造的多晶矽呈針狀，摻雜物 0.1 ppm 以 下，每一公分的阻抗值為 100 ~ 200 歐姆，遠低於既有西門子製 法的 1,000 歐姆，但足以滿足太陽電池用原料所需的水準。目前 也已採用該針狀多晶矽，製造出直徑為 15 公分、長 50 公分的 單結晶，純度達 99.99999~99.999999% ，可獲得媲美西門子製法 的品質，已於年產數噸的實驗工廠確保產品品質，計畫在年產 100 噸的評估工廠確立製造成本與製程技術，自 2008 上半年開 始啟用，展開送樣出貨與產品評估，目標為 2008 年 6 月獨立成 單一事業。往後擬朝量產的目標開發製程技術，計畫在日本國 內興建年產 400~2,000 噸的工廠。 以專業生產高品質太陽電池用單晶矽晶圓聞名的 M.SETEK 向上游投資相馬工廠生產多晶矽，投資金額高達 500 億日圓， 2006 年 10 月 1 日相馬工廠開始建設、2007 年 5 月 24 日工