导论11研究背景.PDF

第一章 導論 1.1 研究背景研究背景 研究背景研究背景 1.1.1 氮化鎵材料簡介 氮化鎵 (GaN)是一種化合物半導體材料 ，由於能隙(band gap)較寬且屬於直接能 隙，所以有可發光的特性 ，一般被廣泛的應用在紫外光到藍綠光等波段的發光或吸 光元件，像是發光二極體(Light Emitting Diode: LED) 、雷射元件(Laser Diode: LD) 、 和光檢測器 (Photo Detector)等。在電性方面 ，GaN 的高崩潰電壓與飽和電流 ，用 來製作元件有高速、低雜訊且可在高溫下操作的特性，這些優於傳統半導體材料矽 (Si)的特性 ，使其成為眾所矚目的研究課題。 然而由於GaN 受限於物理特性 ，熔點的分解壓力大於105 Bar ，如此高的壓力， 使其無法如 Si 一般直接由液相拉晶的方式量產成長大尺寸且高厚度的基板 (substrate) ，因此只能採用異質磊晶的方式，利用其他能隙、晶格常數(lattice constant)相近的材料來做晶種成長 ，常見的基板有氧化鋁(Al2O3) 、碳化矽 (6H-SiC(0001)) 、矽(Si(111)) 、砷化鎵(GaAs(100) ；GaAs(111)) 等材料 。 考量到成本以及晶格匹配的問題 ，通常最常見的材料是Al2O3 ，也是業界量產 時最常用來做為基板的材料 。無可避免的，在異質磊晶時，基板與成長的材料在晶 格常數 、熱膨脹係數(thermal expansion coefficient)的不同而有很大的差異 ： 例如晶格常數的差異 ，會造成晶格間的應力(stress) 而產生差排(dislocation)或 是隨後延伸到表面的缺陷 (defect) ，降低晶格品質，進而影響了元件的操作性，如 LED 元件的使用壽命 (lifetime)等。而異質磊晶時兩介面不同的熱膨脹係數 ，也會由 於收縮的程度不同造成介面之間拱起(bowing)甚至介面間的熱應力(thermal stress) 使材料崩裂 (cracking) ，大幅的提高了成長GaN 厚膜的難度 。 1.1.2 氮化鎵材料成長的歷史 GaN晶體的成長 ，最早是在1940 年 Juza 跟 Hahn 在高溫高壓下 ，將NH3 通 過液態 Ga 成長出針狀的GaN ；在1969 年 Maruska 與 Tietjen 用化學氣相沈積法 (Chemical Vapor Deposition: CVD) 來成長GaN ，相對地較前者增加了成長的面積， 並且成長出非故意參雜的N-type GaN ；1982 年S. Porowski 在高溫高壓 (~1600℃、 15kbar)下，將 N2 通入金屬 Ga 使用昇華法長晶 ，將面積進步到1cm×1cm 大小 ， 並僅有很低的缺陷濃度(106 ㎝-2) ，但是面積仍小且成本較高，量產上也有很大的 困難 ，故得不到業界的青睞[1] 。 有機金屬化學氣相沈積法 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD) 異質磊晶成長 GaN 在近二十年來慢慢開始發展 ，但由於一直沒有晶格常數匹配的 基板，因此晶體成長品質低，且不易形成P-type GaN ，直到1983 年日本的 Yoshida 在氧化鋁 (Al2O3)上成長高溫 AlN 緩衝層(buffer layer) ，發現有助於改善其後成長 的 GaN 品質 。後來名古屋大學I.Akasaki 教授採用低溫 AlN 緩衝層隨後再採用高 溫 (~1000℃) 成長GaN ，成功長出表面有如鏡面的GaN[1] 。 直到 1991 年日亞公司(Nichia Co.)研究員 S.Nakamura 改採用低溫 GaN 緩衝層 再