二. 半导体的能带结构 1. 元素半导体的能带结构 金刚石结构 x y z 导带 价带 硅和锗的能带结构 [0ī0] [100] [00ī] [010] [ī00] [001] 硅导带等能面示意图 极大值点 k0 在坐标轴上。 共有6个形状一样的旋转椭球等能面。 (1)导带 A B C D 导带最低能值 [100]方向 硅的能带结构 价带极大值 位于布里渊区的中心(坐标原点K=0) 存在极大值相重 合的两个价带 外面的能带曲率小,对应的有效质量大,称该能带中的空穴为重空穴 ,(mp*)h 。 内能带的曲率大,对应的有效质量小,称此能带中的空穴为轻空穴,(mp*)l 。 E(k)为球形等能面 (2)价带 锗的能带结构 导带最低能值 [111]方向布里渊区边界 存在有四个这种能量最小值 E(k)为以[111]方向为旋转轴的椭圆等能面 价带极大值 位于布里渊区的中心(K=0) 存在极大值相重合 的两个价带 外面的能带曲率小,对应的有效质量大,称该能带中的空穴为重空穴 。 内能带的曲率大,对应的有效质量小,称此能带中的空穴为轻空穴。 因而,外层电子,在外力作用下可以 获得较大的加速度。 内层电子的能带窄,有效质量大; 外层电子的能带宽,有效质量小。 4. 对于带顶和带底的电子,有效质量恒定 在导带底电子的有效质量为正恒量; 在价带顶电子的有效质量为负恒
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