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磁电式传感器—— 霍尔式传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。 1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。 随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 * * 半导体薄片 + 磁场B + 电流I 电动势E E⊥(B,I) 一、霍尔效应 *** 置于磁场中的静止载流导体, 当它的电流方向与磁场方向不一致时, 载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势, 这种现象称霍尔效应。该电势称霍尔电势。 F＝qvB（洛伦兹力） q－电子电荷量 v－电子速度 B－磁感应强度 F’＝qEH（电场力） F’--电场力 EH --静电场强度 动态平衡时 F=F’ 流过基片的电流称激励电流或控制电流: I=n×q×v×bd n—N型半导体载流子浓度 bd—与电流方向垂直的截面积 UH＝bEH UH＝bvB（霍尔电势） I=p×q×v×bd p—P型半导体载流子浓度 qEH ＝qvB 其中，RH—霍尔系数 N型半导体： P型半导体： 则 p－载流子浓度单位体积中的空穴数 令 ---灵敏度 二、霍尔元件*** （1）当B恒定，UH与I呈线性关系 （2）当I恒定，UH与B成正比 （3）当I恒定，元件在均匀梯度磁场中运动时 直接测量电流 能转换成电流的其它物理量 测量交、直流磁感应强度 可测量微位移，以及压力、加速度、振动等 （4）当B→励磁电流I2时，UH＝KI1I2 霍尔元件做成乘法器、乘方器、开方器、除法器 × I1 B UH 霍尔元件平方器 + + × I0 B 运放 UH Ui RL - + + - - - 三、霍尔式传感器的组成 1、电路部分 霍尔元件分为线性测量和开关状态 （a）线性应用 （b）开关应用 为了增加输出的霍尔电压、功率 （a）直流供电时 控制电流端并联 霍尔元件串联 （b）交流供电时 输出通过变压器耦合。 2、磁路部分 待测 力、压力 在磁场中运动 位移 x C B X B=CX KHI UH 激磁电流恒定 UH的大小与位移x成比例 UH的极性反映位移的方向 速度、加速度 霍尔传感器应用** 1. 霍尔式微位移传感器 霍尔元件具有结构简单、体积小、动态特性好和寿命长的优点, 在位移测量中得到广泛应用。 2. 霍尔式转速传感器 几种不同结构的霍尔式转速传感器。 磁性转盘的输入轴与被测转轴相连, 当被测转轴转动时, 磁性转盘随之转动, 固定在磁性转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲, 检测出单位时间的脉冲数, 便可知被测转速。磁性转盘上小磁铁数目的多少决定了传感器测量转速的分辨率。 霍尔传感器应用 输入轴 转盘 霍尔元件 磁铁