电力电子半导体器件(IGBT)演示课件文.pptVIP

2．过电流的识别： 采用漏极电压的识别方法，通过导通压降判断漏极电流大小。进而切断门极控制信号。 注意：识别时间和动作时间应小于IGBT允许的短路过电流时间（几个us），同时判断短路的真与假，常用方法是利用降低门极电压使IGBT承受短路能力增加，保护电路动作时间延长来处理。 3．保护时缓关断： 由于IGBT过电流时电流幅值很大，加之IGBT关断速度快。如果按正常时的关断速度，就会造成Ldi/dt过大形成很高的尖峰电压，造成IGBT的锁定或二次击穿，极易损坏IGBT和设备中的其他元器件，因此有必要让IGBT在允许的短路时间内采取措施使IGBT进行“慢速关断”。 * * 第七章 绝缘栅双极晶体管 （IGBT) §7.1 原理与特性 一、概述 IGBT—— Insulated Gate Bipolar Transistor 近年来出现了许多新型复合器件，它们将前述单极型和双极性器件的各自优点集于一身，扬长避短，使其特性更加优越，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等优点，因而发展很快．应用很广，已成为当前电力半导体器件发展的重要方向。 其中尤以绝缘栅双极晶体管(1GBT)最为突出，在各个领域中有取代前述全控型器件的趋势。 IGBT（IGT），1982年研制