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用化学方法从失效硅钼元件中分离钼圆片和单晶硅

稀有金属与硬质合金 总第107期 1991年12月 用化学方法从失效硅钼元件中 分离钼圆片和单晶硅 辽宁省本溪市合金总厂情报中心 邹德昌 [提要 )车文卉绍了一壮趴失效睦钼元件中有救地分离铝元件与硅婀{E学方法 谖化学工艺能 有效地击除钼元件表面的杂质层,并能僻持钼元件原有的性状,可重新用作钼元件产品。工艺简 便易 行 对分离钼和硅具有较大的实用价值。 一 、 前 言 二、再生方法 钼圊片是可控硅元件的接触 电极片和硅 1.原 料 整 流片的屯撑体 。随着 电子 工业的飞速发 硅钼元件在使用过程 中 由于单晶硅层 展,硅钼元件的产量也越来越大,据统计国 被 电击穿 失去控制 电流的能力,没有整流 内每年有几十吨 相应地每年就有相当数量 作用 因而变成失效硅钼元件,这就是本工 _舶失效硅钼元件被替换下来。目前 国内市 艺所用 的原料 。 场上积存的失效硅铝元件也越来越多 如果 从硅钼元件的断面图(图1)可 以看出. 能很好的回收再用 对 国家和单位来说,都 杂质层形成了 {[(Mo)(MoO ·A1、Cu)]A1 具有较好的经济价值 。 (Nicu)}si结构层 。最外层为硅层 在硅 失效硅钼元件的一个表面熔合了铝硅铜 与钼层之间用铝合金连接起来,形成了焊料 镍等镀层 很难分开,以往尚未找到较佳的 层 ,把硅层牢固地粘接在钼圊片上。由于高 分离方法,一直影响着这部分钼圆片的回收 温作用 ,在钼 圆片表面上就产生了熔渗层, 使用。以前采用的电解法、硝石熔融法、碱 这几层都是需要除掉的杂质层 。 煮法……均因在处理过程 中破坏了钼圆片的 结 构和性状 ,并且处理工艺较长 ,产品成本 iXiq挥抖垦 高 质量较低 ,而失去 了回收再用 的价值 . 钔骘渗层 也更谈不上再生和重新利用 。 锕星 为心收利用这部分贵重金属钼圆片 ,我 们对 £进行了研究 ,找到了一种行之有效的 朗 l 硅钼元件断面示意圈 化学 艺 该工艺能够把钼元件和单晶 硅很好分暮开来 ,经过化学处理后 的钼 圆片, 2.再生分离方法 还能 涛娘来的性状.经过检测分析和试用. 硅钼元件具有一面焊合硅铝等表面层 都证 丁爵t钼画片具有原生钼圆片的理化 而另一面则为纯钼金属层,故此在分离再生 性 能 产品质量担好 并有可观的经济技术 过程 中,既要处理掉一面的杂质层,又要保 效果。 护好另一面的钼金属层 。为得到钼圆片产品 , 总第1o期 用化学方法从失效硅钳元件中分离钼回片和单晶辞 依据硅,钼,铝等元素在化学

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