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News 飞思卡尔凭借飞思卡尔凭借四款面向四款面向基站设备基站设备优化优化的器件进入的器件进入GaAs MMIC 市场市场 飞思卡尔凭借飞思卡尔凭借四款面向四款面向基站设备基站设备优化优化的器件进入的器件进入 市场市场 低噪放大器和功率放大器针对无线宏小区低噪放大器和功率放大器针对无线宏小区、中继站和家庭基站的关键性能部分、中继站和家庭基站的关键性能部分 低噪放大器和功率放大器针对无线宏小区低噪放大器和功率放大器针对无线宏小区、、中继站和家庭基站的关键性能部分中继站和家庭基站的关键性能部分 2010 年年 5 月月 10 日，日，德克萨斯州奥斯汀市讯德克萨斯州奥斯汀市讯 －飞思卡尔半导体日前凭借推出专 年年 月月 日日，，德克萨斯州奥斯汀市讯德克萨斯州奥斯汀市讯 为无线网络应用的宏基站、中继站和家庭基站的高性能而设计和优化的四款新器件， 进入砷化镓 （ GaAs ）单片微波集成电路 （MMIC ）市场。 这些器件适合低噪放大器和发射功率放大器 – 它们是无线基础设备的两个基本 组成部分，对它们来说，极高射频性能是至关重要的。此外，这些器件还专为低功耗 而设计，从而提供优化的能效和长期可靠性。 飞思卡尔是用于无线基站的硅片射频 LDMOS 功率晶体管方面的全球领导者， 它拥有大量有关 GaAs 的专利，是首批开发基于 GaAs 技术器件的公司之一。飞思卡尔 不断发展的通用放大器 （GPAs ）系列基于 InGaP 异质结双极晶体管 （HBTs ）和 GaAs 异质结场效应晶体管 （HFETs ），该系列包括大量的射频和微波应用。 飞思卡尔副总裁兼射频部总经理 Gavin P. Woods 表示：“ 飞思卡尔的高性能 MMIC 器件为需要高性能的应用，如 3G 和 4G 蜂窝式基站、中继站和家庭基站等，提 供综合的射频有效解决方案。 在质量和可靠性方面，我们开发出与先进的LDMOS RF 技术有相同标准的新款 MMIC 产品。此外，我们的 GaAs MMIC 提供软硬件工具，争 取以最小成本获取最佳性能。” MML09211H 是增强型模式 pHEMT MMIC 的低噪放大器，非常适合从 865 – 960 MHz 频段的 W-CDMA 基站到 728 - 768 MHz 频段中当前正在实施的高数据速率的 1 of 3 News 网络应用。该器件还提供特别低噪数 0.6 dB ，包括电路损耗，并支持从 400 至 1400 MHz 的运行。小信号增益在900 MH 时为 20 dB，P1dB 输出功率为 21 dBm，隔离为 - 35 dB，以及三阶输出拦截点 （IP3 ）在900 MHz 时为 32 dBm 。 MMA20312B 是一个 2 阶 InGaP HBT 功率放大器，专为无线基站、中继站和家 庭基站的使用而设计。尤其是，对于家庭基站来说，该器件实现了高能效，同时符合 线性要求。放大器范围从 1800 到 2200 MHz ，在 2140 MHz 时提供的P1dB 输出功率为 31 dBm，小信号增益为 26 dB 。 同样，其他两个新宽带 MMIC 放大器适合用作发射链中的驱动器放大器或者接 收链中二阶低噪放大器。它们展示出具有比典型 HBT 解决方案更低的电流消耗的出色 线性。MMG15241H 是一个覆盖 500 至 2800 MHz 的 pHEMT 器件，噪音数在 2140 MHz 时为 1.6 dB， P1dB 输出功率为 24 dBm ，IP3 为 39 dBm，以及小信号增益为 15 dB 。MMG20271H 低噪放大器覆盖 1500 至 2400 MHz 频率，噪音数在 2140 MHz 时为 1.8 dB， P1dB 输出功率为 27 dBm，IP3 为 42 dBm ，以及小信号增益为 15 dB。 为了与新的 MMI