磷化铟异质接面双载子电晶体之热阻量测及不理想效应研究.PDFVIP

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2018-02-28 发布于天津
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磷化铟异质接面双载子电晶体之热阻量测及不理想效应研究.PDF

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磷化铟异质接面双载子电晶体之热阻量测及不理想效应研究

行異量不理精類行年年行立林參理李論理年行政院國家科學委員會補助專題研究計畫成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※磷化銦異質接面雙載子電晶體之熱阻量測及不理想效應研究 ※ ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 計畫類別：■個別型計畫 □整合型計畫計畫編號：NSC94 －2215 －E －224 －010 －執行期間： 94 年 8月 1日至 95 年 7月 31日計畫主持人：張彥華共同主持人：計畫參與人員：李文雄碩士班研究生( ) 執行單位：國立雲林科技大學電子工程系暨研究所中華民國 95 年 10 月 12 日磷化銦異質接面雙載子電晶體之熱阻量測及不理想效應研究 “A Study on Thermal Resistance Measurement and Non-ideal Effects in InP Heterojunction Bipolar Transistors” 計畫編號：NSC94-2215-E-224-010 執行期間：94 年8月 1日至 95 年7月 31日主持人：張彥華雲林科技大學電子工程系副教授一、中文摘要 voltage, however, special care has to be taken in the 三五族材料系統的異質接面雙載子電晶體 B-C junction design. Its layer structure is much more complicated than the GaAs counterpart, and the DC (HBT)由於在高速特性上表現優異，已經受到廣泛 characteristics are not ideal. In the linear region of 的重視。目前最受矚目的應用是在無線及光纖通 I V curve, for example, there are thermal effect, 訊。為了持續提升操作頻率，磊晶層結構厚度必 CCE Early effect, and avalanche breakdown effect. In 須減少，而電流密度必須增加。這個趨勢造成元件製作困難、崩潰電壓下降、電性不理想等問題。 contrast, in GaAs HBTs, only thermal ef